JAJSFV5C July   2018  – March 2022 UCC24624

PRODUCTION DATA  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
  4. Revision History
  5. 概要 (続き)
  6. Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  7. Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Timing Requirements
    7. 7.7 Typical Characteristics
  8. Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Power Management
      2. 8.3.2 Synchronous Rectifier Control
      3. 8.3.3 Turn-off Threshold Adjustment
      4. 8.3.4 Noise Immunity
        1. 8.3.4.1 On-Time Blanking
        2. 8.3.4.2 Off-Time Blanking
        3. 8.3.4.3 Two-Channel Interlock
        4. 8.3.4.4 SR Turn-on Re-arm
        5. 8.3.4.5 Adaptive Turn-on Delay
      5. 8.3.5 Gate Voltage Clamping
      6. 8.3.6 Standby Mode
    4. 8.4 Device Functional Modes
      1. 8.4.1 UVLO Mode
      2. 8.4.2 Standby Mode
      3. 8.4.3 Run Mode
  9. Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 MOSFET Selection
        2. 9.2.2.2 Snubber Design
      3. 9.2.3 Application Curves
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12Device and Documentation Support
    1. 12.1 Device Support
      1. 12.1.1 Development Support
        1. 12.1.1.1 Custom Design With WEBENCH® Tools
    2. 12.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 12.3 Community Resources
    4. 12.4 Trademarks

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

特長

  • 230V の VD ピン定格
  • 23ns のターンオフ遅延により、共振周波数を上回る LLC 動作と最大 625kHz のスイッチング周波数に対応
  • 比例式ゲート駆動により SR 導通時間を延長
  • 可変ターンオフ・スレッショルドによりボディ・ダイオード導通を最小限に抑制
  • スタンバイ・モードの自動検出と 180µA の低スタンバイ電流
  • 4.25V~26V の広い動作 VDD 範囲と内部クランプ
  • アダプティブ・ターンオン遅延により DCM リング除去性能が向上
  • 2 チャネル・インターロックにより貫通電流を防止
  • N チャネル MOSFET 用に 1.5A ソースおよび 4A シンク能力を備えたゲート・ドライバを統合
  • 8 ピン SOIC パッケージ