JAJSDZ3 October   2017 UCC256304

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     概略回路図
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成および機能
    1.     ピン機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱特性
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 スイッチング特性
    7. 6.7 代表的特性
  7. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  ハイブリッドヒステリシス制御
      2. 7.3.2  RVCC 12V電源
      3. 7.3.3  帰還信号経路
      4. 7.3.4  オプトカプラ帰還信号入力およびバイアス
      5. 7.3.5  システム外部停止機能
      6. 7.3.6  ピック・ロワー・ブロックとソフトスタート・マルチプレクサ
      7. 7.3.7  ピック・ハイヤー・ブロックとバースト・モード・マルチプレクサ
      8. 7.3.8  VCRコンパレータ
      9. 7.3.9  共振容量電圧検知
      10. 7.3.10 共振電流検知
      11. 7.3.11 バルク電圧検知
      12. 7.3.12 出力電圧検知
      13. 7.3.13 高電圧ゲート・ドライバ
      14. 7.3.14 保護機能
        1. 7.3.14.1 ZCS領域回避
        2. 7.3.14.2 過電流保護(OCP)
        3. 7.3.14.3 過出力電圧保護(VOUTOVP)
        4. 7.3.14.4 過入力電圧保護(VINOVP)
        5. 7.3.14.5 低入力電圧保護(VINUVP)
        6. 7.3.14.6 ブートUVLO
        7. 7.3.14.7 RVCC UVLO
        8. 7.3.14.8 過熱保護(OTP)
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 バースト・モード制御
      2. 7.4.2 高電圧起動
      3. 7.4.3 Xコンデンサ放電
      4. 7.4.4 ソフトスタートとバースト・モード閾値
      5. 7.4.5 システム状態/異常検出ステートマシン
      6. 7.4.6 波形発生器ステートマシン
  8. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1  WEBENCH®ツールによるカスタム設計
        2. 8.2.2.2  LLC電力段要件
        3. 8.2.2.3  LLCゲイン範囲
        4. 8.2.2.4  LnとQeを選択する
        5. 8.2.2.5  等価負荷抵抗を求める
        6. 8.2.2.6  LLC共振回路に必要な部品特性を求める
        7. 8.2.2.7  LLC 1次側電流
        8. 8.2.2.8  LLC2次側電流
        9. 8.2.2.9  LLC変圧器
        10. 8.2.2.10 LLC共振インダクタ
        11. 8.2.2.11 LLC共振容量
        12. 8.2.2.12 LLC1次側MOSFET
        13. 8.2.2.13 アダプティブ・デッドタイムの設計における考慮事項
        14. 8.2.2.14 LLC整流ダイオード
        15. 8.2.2.15 LLC出力容量
        16. 8.2.2.16 HVピン直列抵抗
        17. 8.2.2.17 BLKピン分圧器
        18. 8.2.2.18 BWピン分圧器
        19. 8.2.2.19 ISNSピン微分器
        20. 8.2.2.20 VCRピン・分圧容量
        21. 8.2.2.21 バースト・モード・プログラミング
        22. 8.2.2.22 ソフトスタート容量
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
  9. 9 電源に関する推奨事項
    1. 9.1 VCC容量
    2. 9.2 ブート容量
    3. 9.3 RVCC容量
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 注意点
    2. 10.2 レイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 デバイス・サポート
      1. 11.1.1 開発サポート
        1. 11.1.1.1 WEBENCH®ツールによるカスタム設計
    2. 11.2 ドキュメントのサポート(該当する場合)
      1. 11.2.1 関連資料
    3. 11.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 11.4 コミュニティ・リソース
    5. 11.5 商標
    6. 11.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 11.7 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.5 電気的特性

特に記述のない限り、すべての電圧値はGNDを基準にしており、－40℃＜TJ＝TA＜125℃、VCC＝15Vです。電流は指定されたピンに流れ込む方向が正、ピンから流れ出る方向が負です。
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
電源電圧
VCCShort この閾値を下回ると、低減起動電流を使用 0.5 0.6 0.7 V
VCCReStartJfet この閾値を下回ると、JFETを再導通。 10.2 10.5 10.8 V
VCCStartSelf 自己バイアス・モードで、このレベルを上回るとゲートがスイッチングを開始 25 26 28 V
消費電流
ICCSleep バースト・オフ期間にVCCレールから引き出される電流 VCC＝15V 475 565 700 µA
ICCRun ゲートがスイッチング動作中にVCCピンから引き出される電流。ゲート電流を除く VCC＝15V、最大デッドタイム 1.75 2.2 2.65 mA
電圧が制御された電源
VRVCC レギュレートされた電源電圧 VCC＝15V 11.60 12 12.40 V
VCC＝13V 11.2 11.8 12.25 V
VRVCCUVLO RVCC低電圧誤動作防止電圧 (1) 7 V
高電圧起動
IHVLow 低減起動ピン電流 0.28 0.41 0.54 mA
IHVHigh フル・スタートアップ・ピン電流 7.6 10.20 12.6 mA
IHVLeak HV電流源漏れ電流 1.40 3.37 7.55 µA
IHVZCD 最も高いACゼロクロス検出テスト電流 0.63 0.77 0.89 mA
IXCAPDischarge Xコンデンサ放電電流 9.6 11.47 13.5 mA
tXCAPZCD 最初の3つのテスト電流段のACゼロクロス検出期間の長さ (1) 10 11.85 14 ms
tXCAPZCDLast 最終テスト電流段のACゼロクロス検出期間の長さ (1) 43 46 52 ms
tXCAPIdle ACゼロクロス検出アイドル期間の長さ (1) 635 704 772 ms
tXCAPDischarge Xコンデンサ放電電流アクティブの時間 (1) 327 358 390 ms
バルク電圧検知
VBLKStart LLCがスイッチングを開始できる入力電圧 電圧上昇 1.01 1.04 1.08 V
VBLKStop LLCの動作を停止させる入力電圧 電圧降下 0.83 0.87 0.93 V
VBLKOVRise スイッチングを停止させる入力電圧 電圧上昇 4.92 5.03 5.12 V
VBLKOVFall スイッチングをリスタートさせる入力電圧 電圧降下 3.67 3.76 3.86 V
帰還ピン
RFBInternal 内蔵プルダウン抵抗値 90.7 101.5 112.3 kΩ
IFB FB内部電流源 76.5 85.1 93.6 µA
f-3dB 帰還チェーン－3dBカットオフ周波数 (2) 1 MHz
共振電流検知
VISNS_OCP1 OCP1閾値 3.97 4.03 4.07 V
VISNS_OCP1_SS ソフトスタート時のOCP1閾値 (1) 5 V
VISNS_OCP2 OCP2閾値 0.68 0.84 0.99 V
VISNS_OCP3 OCP3閾値 0.49 0.64 0.79 V
TISNS_OCP2 OCP2検出時間前に平均入力電流がOCP2閾値を上回ったままであるべき時間 (1) 2 ms
TISNS_OCP3 OCP3が検出される前に平均入力電流がOCP3閾値を上回ったままであるべき時間 (1) 50 ms
VIpolarityHyst 共振電流極性検出ヒステリシス 16.9 30.7 44.7 mV
nOCP1 OCP1異常が検出される前のOCP1サイクル数 (1) 4
共振容量電圧検知
VCM 内部同相電圧 2.91 3.02 3.14 V
IRAMP 周波数補償ランプ電流源の値 1.63 1.84 2.10 mA
IMismatch プルアップおよびプルダウン・ランプ電流源の不整合 (3) －1.25 1.25 %
ソフトスタート
ISSUp ソフトスタート容量を充電するためのSSピンからの電流出力 21.8 25.8 29.8 µA
RSSDown SSピン・プルダウン抵抗
ZCSまたはOCP1 222 401 580 Ω
ゲート・ドライバ
VLOL LO出力低電圧 Isink＝20mA 0.027 0.052 0.087 V
VRVCC - VLOH LO出力高電圧 Isource＝20mA 0.113 0.178 0.263 V
VHOL - VHS HO出力低電圧 Isink＝20mA 0.027 0.053 0.087 V
VHB - VHOH HO出力高電圧 Isource＝20mA 0.113 0.173 0.263 V
VHB-HSUVLORise 1次側ゲート・ドライバUVLO上昇閾値 7.35 7.94 8.70 V
VHB-HSUVLOFall 1次側ゲート・ドライバUVLO降下閾値 6.65 7.25 7.76 V
Isource_pk HO、LOピーク・ソース電流 (2) －0.6 A
Isink_pk HO、LOピーク・シンク電流 (2) 1.2 A
ブートストラップ
IBOOT_QUIESCENT (HB - HS)待機時消費電流 HB - HS＝12V 51.10 74.40 97.70 µA
IBOOT_LEAK HBからGNDへの漏れ電流 0.02 0.40 5.40 µA
tChargeBoot 充電ブート状態の長さ 234 267 296 µs
バイアス巻線
VBWOVRise 出力電圧OVP －4.1 －3.97 －3.86 V
バースト・モード
RLL LL電圧スケーリング抵抗値 240 250 258 kΩ
アダプティブ・デッドタイム
dVHS/dt 検出可能なPSNスルーレート (1) ±1 ±50 V/ns
障害回復
tPauseTimeOut 一時停止タイマ (1) 1 s
サーマル・シャットダウン
TJ_r サーマル・シャットダウン温度 (1) 温度上昇 125 145 °C
TJ_H サーマル・シャットダウン・ヒステリシス(1) 20 °C
(1) 実製品の検査は行っていません。特性により規定されています。
(2) 実製品の検査は行っていません。設計により規定されています。
(3) IMismatchは(IPD－(IPD＋IPU)/(IPD＋IPU)/2))と(IPU－(IPD＋IPU)/((IPD＋IPU)/2)の平均として計算