UCC256304は、高電圧ゲート・ドライバを搭載した、十分な機能を持つLLCコントローラです。PFC段と組み合わせるように設計されており、外付け部品を最小限に抑えた完全な電力システムを提供します。結果として、別のスタンバイ用電源コンバータを必要とせず、最も厳格なスタンバイ時電力の要件を満たす設計のシステムを構築できます。UCC256304はハイブリッドヒステリシス制御を使用して、クラス最高のラインおよび負荷過渡応答を実現しています。この制御により、オープン・ループ伝達関数が1次システムとなるため、補償が非常に簡単で、常に正しい周波数補償で安定します。
UCC256304の独自性として、コントローラが大きなDC入力範囲で動作可能なことが挙げられます。これは、入力過電圧センスの閾値を、入力電圧開始閾値よりもはるかに大きな値にすることで達成されています。これによって、PFCがオフの状態でLLCを起動し、低消費電力のスタンバイ・モードに移行でき、LLCは広い範囲の一般的なAC入力に対応できます。
UCC256304には高効率のバースト・モードがあり、サイクルの各バースト中でバースト電力レベルが一定しています。バースト電力レベルはプログラム可能で、入力電圧に応じてアダプティブに変化します。
型番 | パッケージ | 本体サイズ(公称) |
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UCC256304 | SOIC (14) | 9.9mm×3.9mm |
日付 | 改訂内容 | 注 |
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2017年10月 | * | 初版 |
ピン | I/O | 説明 | |
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名前 | 番号 | ||
BLK | 4 | I | このピンを使用してPFC出力電圧レベルを検知します。分圧抵抗を使用して信号を減衰してから、このピンに印加する必要があります。このピンの電圧レベルによって、LLCコンバータがスイッチング動作を開始/停止するタイミングが決まります。また、検知したBLK電圧に基づいてバースト・モード閾値を調整し、入力電圧範囲全体にわたって効率を高めます。 |
BW | 8 | I | このピンを使用して、バイアス巻線により出力電圧を検知します。検知した電圧を用いて、出力過電圧保護を実現します。 |
FB | 5 | I | LLC段制御帰還入力。このピンから供給される電流の量で、LLC入力電力レベルが決まります。 |
GND | 11 | G | 全信号の接地基準電圧。 |
HB | 14 | I | 一次側ゲート・ドライブのフローティング電源電圧。ブートストラップ容量をこのピンとピンHSの間に接続します。二次側MOSFETの導通中に一次側MOSFETドライバに電力を供給するため、RVCCからこのピンへ高電圧・高速ダイオードを接続する必要があります。 |
HO | 15 | O | 一次側フローティング・ゲート・ドライブ出力。 |
HS | 16 | I | 一次側ゲート・ドライブのフローティング・グランド。一次側ゲート・ドライブ電流用の電流リターン。 |
HV | 1 | I | 内部HVスタートアップJFETに接続します。このピンはPFC段とLLC段の両方に起動電力を供給します。また、このピンはXコンデンサ放電機能用のAC入力電圧も監視します。 |
ISNS | 6 | I | 共振電流検出。共振容量電圧を1次フィルタで微分して、共振電流を測定します。 |
LL/SS | 9 | I | このピンからグランド(GND)へ接続される容量値により、ソフトスタート期間が設定されます。また、このピンを使用してバースト・モード閾値を設定します。このピンの分圧抵抗が、BLKピン電圧により、バースト・モード閾値と閾値倍率を設定します。 |
LO | 10 | O | 二次側ゲート・ドライブ出力。 |
N/A | 2 | N/A | 沿面距離と空間距離 |
N/A | 13 | N/A | 沿面距離と空間距離 |
RVCC | 12 | P | 電圧が制御された12V電源。このピンを使用して、ゲート・ドライバとPFCコントローラに電力を供給します。 |
VCC | 3 | P | 電源入力。 |
VCR | 7 | I | 共振容量電圧検知 |
最小 | MAX | UNIT | ||
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Input voltage | HV、HB | -0.3 | 640 | V |
BLK、FB、LL/SS | –0.3 | 7 | V | |
VCR | –0.3 | 7 | V | |
HB - HS | -0.3 | 17 | V | |
VCC | –0.3 | 30 | V | |
BW、ISNS | -5 | 7 | V | |
RVCC出力電圧 | DC | -0.3 | 17 | V |
HO出力電圧 | DC | HS-0.3 | HB+0.3 | V |
過渡応答、100ns未満 | HS-2 | HB+0.3 | ||
LO出力電圧 | DC | -0.3 | RVCC+0.3 | V |
過渡応答、100ns未満 | -2 | RVCC+0.3 | ||
フローティング・グランド・スルーレート | dVHS/dt | –50 | 50 | V/ns |
HO、LOパルス電流 | IOUT_PULSED | -0.6 | 1.2 | A |
接合部温度範囲 | TJ | –40 | 150 | ℃ |
保管温度範囲、Tstg | Tstg | –65 | 150 | |
Lead temperature | ハンダ付け、10秒 | 300 | ||
Reflow | 260 |
値 | 単位 | |||
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V(ESD) | 静電気放電 | Human body model (HBM), per ANSI/ESDA/JEDEC JS-001, high voltage pins(1) | ±1000 | V |
Human body model (HBM), per ANSI/ESDA/JEDEC JS-001, all other pins(1) | ±2000 | |||
Charged device model (CDM), per JEDEC specification JESD22-C101, all pins(2) | ±500 |
最小 | 標準 | 最大 | UNIT | ||
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HV、HS | 入力電圧 | 600 | V | ||
VCC | 電源電圧 | 13 | 15 | 26 | V |
HB - HS | ドライバ・ブートストラップ電圧 | 10 | 12 | 16 | V |
CB | HBからHSへのセラミック・バイパス容量 | 0.1 | 5 | µF | |
CRVCC | RVCCピン・デカップリング容量 | 4.7 | µF | ||
IRVCCMAX | RVCCの最大出力電流 (1) | 100 | mA | ||
TA | 動作周囲温度 | -40 | 125 | °C |
熱特性(1) | UCC256304 | 単位 | |
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D (SOIC) | |||
14ピン | |||
RθJA | 接合部から周囲温度への熱抵抗 | 74.7 | °C/W |
RθJC(top) | 接合部からケース(上面)への熱抵抗 | 30.7 | °C/W |
RθJB | 接合部から基板への熱抵抗 | 31.8 | ℃/W |
ΨJT | 接合部から上面への熱特性値 | 4.4 | ℃/W |
ΨJB | 接合部から基板への熱特性値 | 31.4 | ℃/W |
PARAMETER | TEST CONDITIONS | MIN | TYP | MAX | UNIT | |
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電源電圧 | ||||||
VCCShort | この閾値を下回ると、低減起動電流を使用 | 0.5 | 0.6 | 0.7 | V | |
VCCReStartJfet | この閾値を下回ると、JFETを再導通。 | 10.2 | 10.5 | 10.8 | V | |
VCCStartSelf | 自己バイアス・モードで、このレベルを上回るとゲートがスイッチングを開始 | 25 | 26 | 28 | V | |
消費電流 | ||||||
ICCSleep | バースト・オフ期間にVCCレールから引き出される電流 | VCC=15V | 475 | 565 | 700 | µA |
ICCRun | ゲートがスイッチング動作中にVCCピンから引き出される電流。ゲート電流を除く | VCC=15V、最大デッドタイム | 1.75 | 2.2 | 2.65 | mA |
電圧が制御された電源 | ||||||
VRVCC | レギュレートされた電源電圧 | VCC=15V | 11.60 | 12 | 12.40 | V |
VCC=13V | 11.2 | 11.8 | 12.25 | V | ||
VRVCCUVLO | RVCC低電圧誤動作防止電圧 (1) | 7 | V | |||
高電圧起動 | ||||||
IHVLow | 低減起動ピン電流 | 0.28 | 0.41 | 0.54 | mA | |
IHVHigh | フル・スタートアップ・ピン電流 | 7.6 | 10.20 | 12.6 | mA | |
IHVLeak | HV電流源漏れ電流 | 1.40 | 3.37 | 7.55 | µA | |
IHVZCD | 最も高いACゼロクロス検出テスト電流 | 0.63 | 0.77 | 0.89 | mA | |
IXCAPDischarge | Xコンデンサ放電電流 | 9.6 | 11.47 | 13.5 | mA | |
tXCAPZCD | 最初の3つのテスト電流段のACゼロクロス検出期間の長さ (1) | 10 | 11.85 | 14 | ms | |
tXCAPZCDLast | 最終テスト電流段のACゼロクロス検出期間の長さ (1) | 43 | 46 | 52 | ms | |
tXCAPIdle | ACゼロクロス検出アイドル期間の長さ (1) | 635 | 704 | 772 | ms | |
tXCAPDischarge | Xコンデンサ放電電流アクティブの時間 (1) | 327 | 358 | 390 | ms | |
バルク電圧検知 | ||||||
VBLKStart | LLCがスイッチングを開始できる入力電圧 | 電圧上昇 | 1.01 | 1.04 | 1.08 | V |
VBLKStop | LLCの動作を停止させる入力電圧 | 電圧降下 | 0.83 | 0.87 | 0.93 | V |
VBLKOVRise | スイッチングを停止させる入力電圧 | 電圧上昇 | 4.92 | 5.03 | 5.12 | V |
VBLKOVFall | スイッチングをリスタートさせる入力電圧 | 電圧降下 | 3.67 | 3.76 | 3.86 | V |
帰還ピン | ||||||
RFBInternal | 内蔵プルダウン抵抗値 | 90.7 | 101.5 | 112.3 | kΩ | |
IFB | FB内部電流源 | 76.5 | 85.1 | 93.6 | µA | |
f-3dB | 帰還チェーン-3dBカットオフ周波数 (2) | 1 | MHz | |||
共振電流検知 | ||||||
VISNS_OCP1 | OCP1閾値 | 3.97 | 4.03 | 4.07 | V | |
VISNS_OCP1_SS | ソフトスタート時のOCP1閾値 (1) | 5 | V | |||
VISNS_OCP2 | OCP2閾値 | 0.68 | 0.84 | 0.99 | V | |
VISNS_OCP3 | OCP3閾値 | 0.49 | 0.64 | 0.79 | V | |
TISNS_OCP2 | OCP2検出時間前に平均入力電流がOCP2閾値を上回ったままであるべき時間 (1) | 2 | ms | |||
TISNS_OCP3 | OCP3が検出される前に平均入力電流がOCP3閾値を上回ったままであるべき時間 (1) | 50 | ms | |||
VIpolarityHyst | 共振電流極性検出ヒステリシス | 16.9 | 30.7 | 44.7 | mV | |
nOCP1 | OCP1異常が検出される前のOCP1サイクル数 (1) | 4 | ||||
共振容量電圧検知 | ||||||
VCM | 内部同相電圧 | 2.91 | 3.02 | 3.14 | V | |
IRAMP | 周波数補償ランプ電流源の値 | 1.63 | 1.84 | 2.10 | mA | |
IMismatch | プルアップおよびプルダウン・ランプ電流源の不整合 (3) | -1.25 | 1.25 | % | ||
ソフトスタート | ||||||
ISSUp | ソフトスタート容量を充電するためのSSピンからの電流出力 | 21.8 | 25.8 | 29.8 | µA | |
RSSDown | SSピン・プルダウン抵抗
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ZCSまたはOCP1 | 222 | 401 | 580 | Ω |
ゲート・ドライバ | ||||||
VLOL | LO出力低電圧 | Isink=20mA | 0.027 | 0.052 | 0.087 | V |
VRVCC - VLOH | LO出力高電圧 | Isource=20mA | 0.113 | 0.178 | 0.263 | V |
VHOL - VHS | HO出力低電圧 | Isink=20mA | 0.027 | 0.053 | 0.087 | V |
VHB - VHOH | HO出力高電圧 | Isource=20mA | 0.113 | 0.173 | 0.263 | V |
VHB-HSUVLORise | 1次側ゲート・ドライバUVLO上昇閾値 | 7.35 | 7.94 | 8.70 | V | |
VHB-HSUVLOFall | 1次側ゲート・ドライバUVLO降下閾値 | 6.65 | 7.25 | 7.76 | V | |
Isource_pk | HO、LOピーク・ソース電流 (2) | -0.6 | A | |||
Isink_pk | HO、LOピーク・シンク電流 (2) | 1.2 | A | |||
ブートストラップ | ||||||
IBOOT_QUIESCENT | (HB - HS)待機時消費電流 | HB - HS=12V | 51.10 | 74.40 | 97.70 | µA |
IBOOT_LEAK | HBからGNDへの漏れ電流 | 0.02 | 0.40 | 5.40 | µA | |
tChargeBoot | 充電ブート状態の長さ | 234 | 267 | 296 | µs | |
バイアス巻線 | ||||||
VBWOVRise | 出力電圧OVP | -4.1 | -3.97 | -3.86 | V | |
バースト・モード | ||||||
RLL | LL電圧スケーリング抵抗値 | 240 | 250 | 258 | kΩ | |
アダプティブ・デッドタイム | ||||||
dVHS/dt | 検出可能なPSNスルーレート (1) | ±1 | ±50 | V/ns | ||
障害回復 | ||||||
tPauseTimeOut | 一時停止タイマ (1) | 1 | s | |||
サーマル・シャットダウン | ||||||
TJ_r | サーマル・シャットダウン温度 (1) | 温度上昇 | 125 | 145 | °C | |
TJ_H | サーマル・シャットダウン・ヒステリシス(1) | 20 | °C |