JAJSTZ9D June 2008 – July 2024 UCC27200-Q1
PRODUCTION DATA
UCC27200-Q1 の高周波 N チャネル MOSFET ドライバは、120V のブートストラップ ダイオードと、それぞれ独立した入力を持つハイサイドおよびローサイド ドライバを搭載し、制御の柔軟性を最大限に高めています。これにより、ハーフブリッジ、フルブリッジ、2 スイッチ フォワード、およびアクティブ クランプ フォワードのコンバータで、N チャネル MOSFET 制御が可能です。ローサイドとハイサイドのゲート ドライバが独立して制御され、それぞれのオン / オフ間に 1ns でマッチングが行われます。
ブートストラップ ダイオードを内蔵しているため、外部にディスクリート ダイオードが不要です。ハイサイド ドライバとローサイド ドライバの両方に低電圧誤動作防止機能が搭載され、駆動電圧が規定のスレッショルド未満の場合は出力が強制的に Low になります。
UCC27200-Q1 は、ノイズ耐性の高い CMOS 入力スレッショルドを備えています。
このデバイスは、8 ピン SO PowerPAD™ (DDA) パッケージで供給されます。
部品番号 | パッケージ (1) | 本体サイズ (公称) |
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UCC27200-Q1 | DDA (PowerPADTM SOIC、8) | 4.9mm × 3.9mm |