JAJSTZ9D
June 2008 – July 2024
UCC27200-Q1
PRODUCTION DATA
1
1
特長
2
アプリケーション
3
説明
4
Pin Configuration and Functions
5
Specifications
5.1
Absolute Maximum Ratings
5.2
ESD Ratings
5.3
Recommended Operating Conditions
5.4
Thermal Information
5.5
Electrical Characteristics
5.6
Switching Characteristics
5.7
Timing Diagrams
5.8
Typical Characteristics
6
Detailed Description
6.1
Overview
6.2
Functional Block Diagram
6.3
Feature Description
6.3.1
Input Stages
6.3.2
Undervoltage Lockout (UVLO)
6.3.3
Level Shift
6.3.4
Boot Diode
6.3.5
Output Stages
6.4
Device Functional Modes
7
Application and Implementation
7.1
Application Information
7.2
Typical Application
7.2.1
Design Requirements
7.2.2
Detailed Design Procedure
7.2.2.1
Input Threshold Type
7.2.2.2
VDD Bias Supply Voltage
7.2.2.3
Peak Source and Sink Currents
7.2.2.4
Propagation Delay
7.2.2.5
Power Dissipation
7.2.3
Application Curves
8
Power Supply Recommendations
9
Layout
9.1
Layout Guidelines
9.2
Layout Example
10
Device and Documentation Support
10.1
Documentation Support
10.1.1
Related Documentation
10.2
ドキュメントの更新通知を受け取る方法
10.3
サポート・リソース
10.4
Trademarks
10.5
静電気放電に関する注意事項
10.6
用語集
11
Revision History
12
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
パッケージ・オプション
メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
DDA|8
MPDS092F
サーマルパッド・メカニカル・データ
DDA|8
PPTD178C
発注情報
jajstz9d_oa
jajstz9d_pm
1
特長
車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み:デバイス温度グレード 1
接合部温度範囲:-40℃~+150℃
ハイサイドおよびローサイド構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
最大ブート電圧:120V
最大 V
DD
電圧:20V
オンチップ 0.65V V
F
、0.65Ω R
D
ブートストラップ ダイオード
伝搬遅延時間:22ns
3A シンク、3A ソース出力電流
立ち上がり時間 8ns、立ち下がり時間 7ns (1000pF 負荷時)
遅延マッチング:1ns