11 Revision History
Changes from Revision C (August 2016) to Revision D (July 2024)
- デバイスの主な特長を反映するようにドキュメントのタイトルを変更。また、このデータシートは 1 つの型番のみに対応しているため、デバイスの型番を変更 (修正前:UCC2720x-Q1。修正後:UCC27200-Q1)。デバイスの特性を反映するように仕様の一部を更新。このデータシートから UCC27201-Q1 デバイスの記述を削除Go
- ドキュメント全体にわたって表、図、相互参照の採番方法を更新Go
- 「特長」セクションを変更:1) 最新の TI データシート標準に従うように HBM および CDM ESD 分類レベルを削除。2) 接合部温度範囲の仕様を変更 (修正前:-40℃~140℃。修正後:–40℃~150℃)。4) 伝搬遅延の標準値を変更 (修正前:20ns。修正後:22ns)。5)「1MHz を超える動作」の記述を削除 (このスイッチング周波数は規定のパラメータではないため)。6) ブートストラップ ダイオード抵抗の標準値を変更 (修正前:0.6Ω。修正後:0.65Ω)Go
- 「アプリケーション」セクションを更新して代表的なアプリケーションの上位 5 つを記載Go
- 「概要」セクションを変更して、UCC2720x-Q1 を UCC27200-Q1 に置き換え、UCC27201-Q1 の記述を削除Go
- Changed Pin Functions table with a change to the power pad
description. Go
- Updated Absolute Maximum Ratings section to remove "Power
dissipation at TA = 25°C" and "Lead temperature (soldering, 10s)". Power
dissipation can be calculated with thermal metrics in "Thermal Information"
table.Go
- Updated Recommended Operating Conditions: Operating Junction
Temperature maximum changed from 140°C to 150°C, and removed Operating Ambient
Temperature. Go
- Updated Thermal Information section to reflect device
characteristics. Go
- Updated Supply Currents specifications in the Electrical
Characteristics table: 1) IDD typical changed (From: 0.4mA. To:
0.11mA). 2) UC27200-Q1 IDDO typical changed (From: 2.5mA. To: 1mA).
3) UCC27200-Q1 IDDO maximum changed (From: 4mA. To: 3mA. 4)
IHB typical changed (From: 0.4mA. To: 0.065mA). 5)
IHBO typical changed (From: 2.5mA. To: 0.9mA). 6) IHBO
maximum changed (From: 4mA. To: 3mA). 7) IHBS test condition changed
to match VHS maximum recommended operating conditions (From: 110V.
To: 105V). 8) IHBSO typical changed (From: 0.1mA. To:
0.03mA).Go
- Updated Input specifications in the Electrical Characteristics
table: 1) UCC27200-Q1 VHIT typical changed (From: 5.8V. To: 6V). 2)
UCC27200-Q1 VLIT typical changed (From: 5.4V. To: 5.6V). Go
- Updated Bootstrap diode specifications in the Electrical
Characteristics table: 1) RD test conditions changed (From: 100mA and
80mA. To: 120mA and 100mA). 2) RD typical changed (From: 0.6Ω. To:
0.65Ω). Go
- Updated LO/HO Gate Driver specifications in the Electrical
Characteristics table: 1) VLOL typical changed (From 0.18V. To 0.1V).
2) VLOH typical changed (From: 0.25V. To: 0.13V). Go
- Removed specifications with test conditions "-40°C to 125°C
TJ", since all parameters are specified from -40°C to 150°C
TJ (unless otherwise noted). Changed Propagation Delays typical specification (From: 20ns. To:
22ns).Go
- Updated Output Rise and Fall Time specifications: 1) tR
typical changed (From: 0.35us. To: 0.26us). 2) tF typical changed
(From: 0.3us. To: 0.22us). Go
- Updated all plots in Typical Characteristics section to reflect the
device's typical specification. Go
- Updated Typical Application section to display a different
application diagram and detailed design procedure since information in legacy
data sheet had an outdated circuit with obsolete part numbers. Go
- Changed application curves to display propagation delay and
rise/fall time plots. Go
- Updated Power Supply Recommendations section to fix 3
typos.Go
Changes from Revision B (March 2016) to Revision C (August 2016)
- 「特長」セクションのデバイス温度グレードをグレード 0 (–40℃~150℃) からグレード 1 (–40℃~125℃) に変更Go
- Added the Receiving Notification of Documentation Updates
sectionGo
Changes from Revision A (November 2008) to Revision B (March 2016)
- 「ESD 定格」表、「機能説明」セクション、「デバイスの機能モード」セクション、「アプリケーションと実装」セクション、「電源に関する推奨事項」セクション、「レイアウト」セクション、「デバイスおよびドキュメントのサポート」セクション、「メカニカル、パッケージ、および注文情報」セクションを追加Go
- AEC-Q100 認定の箇条書きを追加Go
- デバイス番号 UCC2720x および UCC27200 を UCC2720x-Q1 および UCC27200-Q1 に変更Go
- Moved references from Additional References section to Related Documentation sectionGo