DATA SHEET
UCC27611 5V、4A~6A、ローサイドGaNドライバ
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1 特長
- エンハンスメント・モードの窒化ガリウムFET(eGANFET)
- シングル電源VDD電圧範囲:4V~18V
- 駆動電圧VREFを5Vに制御
- 駆動ピーク電流:4Aソース、6Aシンク
- プルアップおよびプルダウン抵抗:1Ωおよび0.35Ω(高スルーレートでのdV/dt耐性を最大化)
- 分割出力構成(各FETのターンオンおよびターンオフ時間を最適化可能)
- 高速伝搬遅延(標準14ns)
- 高速立ち上がり/立ち下がり時間(標準9ns/5ns)
- TTLおよびCMOS互換入力(電源電圧から独立し、デジタルおよびアナログ・コントローラへのインターフェイスが容易)
- デュアル入力設計によって駆動の柔軟性を向上(反転および非反転構成)
- 入力のフローティング時は出力をLowに保持
- VDD低電圧誤動作防止(UVLO)
- eGANFETのフットプリントに対して最適化されたピン配置により、レイアウトが容易
- 露出したサーマル/グランド・パッドを備えた2.00mm×2.00mmのSON-6パッケージ(寄生インダクタンスの最小化によってゲートのリンギングを低減)
- 動作温度範囲:–40°C~140°C