データシート
UCC27611
- エンハンスメント・モードの窒化ガリウムFET（eGANFET）
- シングル電源VDD電圧範囲：4V～18V
- 駆動電圧VREFを5Vに制御
- 駆動ピーク電流：4Aソース、6Aシンク
- プルアップおよびプルダウン抵抗：1Ωおよび0.35Ω（高スルーレートでのdV/dt耐性を最大化）
- 分割出力構成（各FETのターンオンおよびターンオフ時間を最適化可能）
- 高速伝搬遅延（標準14ns）
- 高速立ち上がり/立ち下がり時間（標準9ns/5ns）
- TTLおよびCMOS互換入力（電源電圧から独立し、デジタルおよびアナログ・コントローラへのインターフェイスが容易）
- デュアル入力設計によって駆動の柔軟性を向上（反転および非反転構成）
- 入力のフローティング時は出力をLowに保持
- VDD低電圧誤動作防止（UVLO）
- eGANFETのフットプリントに対して最適化されたピン配置により、レイアウトが容易
- 露出したサーマル/グランド・パッドを備えた2.00mm×2.00mmのSON-6パッケージ（寄生インダクタンスの最小化によってゲートのリンギングを低減）
- 動作温度範囲：–40°C～140°C
UCC27611は、5V駆動用に最適化されたシングル・チャネルの高速ゲート・ドライバであり、特にエンハンスメント・モードのGaN FET用に設計されています。駆動電圧VREFは、内部のリニア・レギュレータによって精密に5Vに制御されます。UCC27611は、4Aソースおよび6Aシンクの非対称レール・ツー・レール・ピーク電流駆動能力を備えています。分割出力構成となっているため、FETに応じてターンオン時間とターンオフ時間を個別に最適化できます。寄生インダクタンスを最小限に抑えたパッケージとピン配置により、立ち上がりおよび立ち下がり時間が短縮され、リンギングが抑制されます。また、伝播遅延が短く、公差や変動も最小限であるため、高い周波数で高効率の動作が可能です。1Ωと0.35Ωの抵抗により、高スルーレートのdV/dtによる急激なスイッチングにも高い耐性を持ちます。
VDD入力信号のスレッショルドから独立していることで、TTLおよびCMOS低電圧ロジックとの互換性が確保されています。安全性の理由により、入力ピンがフローティング状態のときには、内部の入力プルアップ/プルダウン抵抗によって出力がLowに保持されます。VREFピンの内部回路には、低電圧誤動作防止機能が搭載され、VREF電源電圧が動作範囲内になるまで出力がLowに保持されます。UCC27611は、露出したサーマル/グランド・パッドを備えた小型の2.00mm×2.00mm SON-6パッケージ（DRV）で供給され、パッケージの電力処理能力を高めています。UCC27611は、-40°C～140°Cの幅広い温度範囲で動作します。
技術資料
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SLUM362E.TSC (761 KB) - TINA-TI Reference Design
シミュレーション・モデル
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SLUM363B.ZIP (5 KB) - TINA-TI Spice Model
シミュレーション・モデル
UCC27611 Unencrypted PSpice Transient Model (Rev. B)
SLUM487B.ZIP (2 KB) - PSpice Model
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| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| WSON (DRV) | 6 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
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- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
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記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。