JAJS131I July   2000  – June 2024 UCC28C40 , UCC28C41 , UCC28C42 , UCC28C43 , UCC28C44 , UCC28C45 , UCC38C40 , UCC38C41 , UCC38C42 , UCC38C43 , UCC38C44 , UCC38C45

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  ピンの詳細説明
        1. 7.3.1.1 COMP
        2. 7.3.1.2 FB
        3. 7.3.1.3 CS
        4. 7.3.1.4 RT/CT
        5. 7.3.1.5 GND
        6. 7.3.1.6 OUT
        7. 7.3.1.7 VDD
        8. 7.3.1.8 VREF
      2. 7.3.2  低電圧誤動作防止
      3. 7.3.3  ±1% の内部基準電圧
      4. 7.3.4  電流センスと過電流制限
      5. 7.3.5  放電電流の変動の低減
      6. 7.3.6  発振器の同期
      7. 7.3.7  ソフト スタートのタイミング制御
      8. 7.3.8  イネーブルおよびディセーブル
      9. 7.3.9  スロープ補償
      10. 7.3.10 電圧モード
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 通常動作
      2. 7.4.2 UVLO モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1  入力バルク容量と最小バルク電圧
        2. 8.2.2.2  トランスの巻線比と最大デューティ サイクル
        3. 8.2.2.3  トランスのインダクタンスとピーク電流
        4. 8.2.2.4  出力コンデンサ
        5. 8.2.2.5  電流検出ネットワーク
        6. 8.2.2.6  ゲート ドライブ抵抗
        7. 8.2.2.7  VREF コンデンサ
        8. 8.2.2.8  RT/CT
        9. 8.2.2.9  スタートアップ回路
        10. 8.2.2.10 電圧帰還補償
          1. 8.2.2.10.1 電力段の極とゼロ
          2. 8.2.2.10.2 スロープ補償
          3. 8.2.2.10.3 開ループ ゲイン
          4. 8.2.2.10.4 補償ループ
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
        1. 8.4.1.1 事前の注意事項
        2. 8.4.1.2 フィードバック配線
        3. 8.4.1.3 バイパス コンデンサ
        4. 8.4.1.4 補償部品
        5. 8.4.1.5 配線とグランド プレーン
      2. 8.4.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 デバイス サポート
      1. 9.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 9.2 ドキュメントのサポート
      1. 9.2.1 関連資料
    3. 9.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 9.4 サポート・リソース
    5. 9.5 商標
    6. 9.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 9.7 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • D|8
  • P|8
  • DGK|8
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.3.1.6 OUT

UCCx8C4x の大電流出力段は、従来のデバイスの約半分の時間で外部パワー スイッチを駆動するように再設計されています。パワー MOSFET を直接駆動するため、トーテムポール OUT ドライバは最大 1A のピーク電流をシンクまたはソースします。UCCx8C40、UCCx8C42、UCCx8C43 デバイスの OUT は、発振器と同じ周波数でスイッチングし、100% に近いデューティ サイクルで動作できます。UCCx8C41、UCCx8C44、UCCx8C45 では、内部 T フリップ フロップにより、OUT のスイッチング周波数は発振器の半分になります。これにより、UCCx8C41、UCCx8C44、UCCx8C45 の最大デューティ サイクルは 50% 未満に制限されます。

UCCx8C4x ファミリは、上側レールに対するインピーダンスが 10Ω (標準値) を示し、グランドに対するインピーダンスが 5.5Ω (標準値) を示す独自のトーテムポール ドライバを備えています。このようにローサイド スイッチのインピーダンスが小さいため、パワー MOSFET のターンオフ損失を最小限に抑えることができます。一方、ハイサイド スイッチのより大きいターンオン インピーダンスは、多くの高速出力整流器の逆方向回復特性とよく調和することを目的としています。立ち上がりエッジと立ち下がりエッジの遷移時間 (電圧が 10% から 90% まで変化する時間) の標準値はそれぞれ 25ns と 20ns です。

バイポーラ トランジスタと並列接続された低インピーダンス MOS 構造 (BiCMOS 構造) は、トーテムポール出力構造から成ります。このようにシリコンをより効率的に利用することで、高速な遷移と完全なレール ツー レール電圧スイングに加えて、必要とされる大きなピーク電流を実現します。さらに、出力段は自己バイアスであり、低電圧誤動作防止タイプの場合はアクティブ Low です。VDD 電源電圧が印加されていないときに、出力を High にしようとすると、出力はアクティブに Low をプルします。この状況は、ドライバ負荷としてパワー MOSFET を使って、最初に電源を投入した際にしばしば発生します。