JAJS131I July 2000 – June 2024 UCC28C40 , UCC28C41 , UCC28C42 , UCC28C43 , UCC28C44 , UCC28C45 , UCC38C40 , UCC38C41 , UCC38C42 , UCC38C43 , UCC38C44 , UCC38C45
PRODUCTION DATA
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
VDD は、このデバイスの電源入力接続です。通常動作では、電流制限抵抗を経由して VDD に電力を供給します。存在する可能性がある過渡電圧を含めて、電源電圧の絶対最大定格値は 20V です。この電圧を超えると、デバイスが損傷する可能性があります。これは、入力バイアス ピンに最大 30V を印加しても耐えられた従来のバイポーラ デバイスとは対照的です。また、本デバイスには内部クランプが内蔵されていないため、20V のレベルを超える可能性がある外部電源から VDD ピンを保護する必要があります。すべてのラインおよび負荷条件の下で、補助巻線 NA からのスタートアップおよびブートストラップ電源電圧を 20V 未満に抑えることができない場合、VDD と GND の間にツェナー保護ダイオードを接続します。ブートストラップ電源のインピーダンスと配置によっては、ツェナーに流れ込む電流を制限するため、補助巻線と直列に抵抗 RVDD を追加する必要がある可能性があります (図 7-1 を参照)。すべての許容誤差と温度を含めて、最小ツェナー電圧が UVLO 上側ターンオン スレッショルドの最大値よりも大きくなるようにします。ノイズに関連する問題が発生しないように、GND との間に接続されたセラミック バイパス コンデンサで VDD をフィルタ処理します。VDD ピンは、GND ピンのできるだけ近くでデカップリングする必要があります。
VDD 動作電流の公称値はわずか 2.3mA ですが、OUT 電流次第で、総電源電流はより大きくなります。合計 VDD 電流は、静止 VDD 電流と平均 OUT 電流の合計です。動作周波数と MOSFET ゲート電荷 (Qg) が判明していれば、式 1 から平均 OUT 電流を計算できます。