JAJSPK1A December   2022  – February 2024 UCC5880-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特長
  3. 2アプリケーション
  4. 3概要
  5. 4Pin Configuration and Functions
  6. 5Power Supply Recommendations
    1. 5.1 VCC1
    2. 5.2 VCC2
    3. 5.3 VEE2
  7. 6Layout
    1. 6.1 Layout Guidelines
      1. 6.1.1 Component Placement
      2. 6.1.2 Grounding Considerations
      3. 6.1.3 High-Voltage Considerations
      4. 6.1.4 Thermal Considerations
    2. 6.2 Layout Example
  8. 7Device and Documentation Support
    1. 7.1 Device Support
      1. 7.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 7.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 7.3 サポート・リソース
    4. 7.4 Trademarks
    5. 7.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 7.6 用語集
  9. 8Revision History
  10. 9Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DFC|32
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

UCC5880‌-Q1 デバイスは、EV/HEV アプリケーションの大電力 SiC MOSFET および IGBT を駆動するための高度に構成可能で駆動能力可変の絶縁型ゲート ドライバです。シャント抵抗をベースにした過電流検出、過熱 (PTC、NTC またはダイオード) 検出、DESAT 検出などによるパワー トランジスタ保護機能を備えており、これらの障害発生時にソフト ターンオフまたは 2 レベルのソフト ターンオフを選択できます。内蔵の 10 ビット ADC を使うと、最大 2 つのアナログ入力 (VCC2、DESAT) とゲート ドライバ温度を監視することでシステム管理を強化できます。ASIL 準拠システムの設計を簡素化する診断および検出機能を内蔵しています。これらの機能のパラメータとスレッショルドは SPI を使って設定できるため、本デバイスはほとんどすべての SiC MOSFET または IGBT と組み合わせて使用できます。

製品情報
部品番号 パッケージ (1) パッケージ サイズ(2) 本体サイズ (公称)
UCC5880-Q1 DFC (SSOP、32) 10.3mm × 10.3mm 10.5mm x 7.5mm
(1) 利用可能なすべてのパッケージについては、「メカニカル、パッケージ、および注文情報」を参照してください。
(2) パッケージ サイズ (長さ × 幅) は公称値であり、該当する場合はピンも含まれます。
GUID-20210708-CA0I-HP3W-4PXT-SM7FFPX5TLWM-low.svg概略回路図