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UCC5880-Q1

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車載、高度な保護機能搭載、20A、リアルタイムで可変の IGBT/SiC MOSFET 絶縁型ゲート ドライバ

製品詳細

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1414 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 20 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Programmable dead time, Real-time variable gate drive strength, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 12 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Rise time (ns) 55 Fall time (ns) 55 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1414 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 TI functional safety category Functional Safety-Compliant Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 20 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Programmable dead time, Real-time variable gate drive strength, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 12 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Rise time (ns) 55 Fall time (ns) 55 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable
SSOP (DFC) 32 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • リアルタイムで駆動能力可変のデュアル出力ドライバ
    • ±15A および ±5A の駆動電流出力
    • SPI なしで駆動強度を調整するためのデジタル入力ピン (GD*)
    • 3 つの抵抗設定 R1、R2、または R1||R2
    • 内蔵の 4A アクティブ ミラー クランプ、またはオプションで外部のミラー クランプ トランジスタを駆動
  • 1 次側と 2 次側のアクティブ短絡 (ASC) をサポート
  • 内部および外部電源の低電圧および過電圧保護
  • ドライバ ダイ温度センシングおよび過熱保護機能
  • 短絡保護:
    • DESAT イベントへの応答時間 110ns
    • DESAT 保護 – 最大 14V まで選択可能
    • シャント抵抗を使った短絡 (SC) および過電流 (OC) 保護
    • 保護スレッショルドの値とブランキング時間を構成可能
    • プログラマブル ソフト ターンオフ (STO) および 2 レベルのソフト ターンオフ (2STO) 電流
  • 10 ビット ADC 内蔵
    • パワー スイッチの温度、 DC リンク電圧、ドライバのダイ温度、DESAT ピン電圧、VCC2 電圧を測定可能
    • プログラム可能なデジタル コンパレータ
  • 高度な VCE/VDS クランプ回路
  • 機能安全準拠
  • 診断機能内蔵:
    • 保護コンパレータ用の内蔵セルフ テスト (BIST)
    • パワー デバイスの状態監視用のゲート スレッショルド電圧測定
    • INP からトランジスタのゲートへの経路の整合性
    • 内部クロックの監視
    • フォルト アラームおよび警告出力 (nFLT*)
    • ISO 通信データの整合性チェック
  • SPI ベースのデバイス再構成、検証、監視、診断機能
  • 150V/ns CMTI
  • 以下の結果で AEC-Q100 認定済み:
    • デバイス温度グレード 1:動作時周囲温度範囲:-40℃~+125℃
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C2b
  • リアルタイムで駆動能力可変のデュアル出力ドライバ
    • ±15A および ±5A の駆動電流出力
    • SPI なしで駆動強度を調整するためのデジタル入力ピン (GD*)
    • 3 つの抵抗設定 R1、R2、または R1||R2
    • 内蔵の 4A アクティブ ミラー クランプ、またはオプションで外部のミラー クランプ トランジスタを駆動
  • 1 次側と 2 次側のアクティブ短絡 (ASC) をサポート
  • 内部および外部電源の低電圧および過電圧保護
  • ドライバ ダイ温度センシングおよび過熱保護機能
  • 短絡保護:
    • DESAT イベントへの応答時間 110ns
    • DESAT 保護 – 最大 14V まで選択可能
    • シャント抵抗を使った短絡 (SC) および過電流 (OC) 保護
    • 保護スレッショルドの値とブランキング時間を構成可能
    • プログラマブル ソフト ターンオフ (STO) および 2 レベルのソフト ターンオフ (2STO) 電流
  • 10 ビット ADC 内蔵
    • パワー スイッチの温度、 DC リンク電圧、ドライバのダイ温度、DESAT ピン電圧、VCC2 電圧を測定可能
    • プログラム可能なデジタル コンパレータ
  • 高度な VCE/VDS クランプ回路
  • 機能安全準拠
  • 診断機能内蔵:
    • 保護コンパレータ用の内蔵セルフ テスト (BIST)
    • パワー デバイスの状態監視用のゲート スレッショルド電圧測定
    • INP からトランジスタのゲートへの経路の整合性
    • 内部クロックの監視
    • フォルト アラームおよび警告出力 (nFLT*)
    • ISO 通信データの整合性チェック
  • SPI ベースのデバイス再構成、検証、監視、診断機能
  • 150V/ns CMTI
  • 以下の結果で AEC-Q100 認定済み:
    • デバイス温度グレード 1:動作時周囲温度範囲:-40℃~+125℃
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C2b

UCC5880‌-Q1 デバイスは、EV/HEV アプリケーションの大電力 SiC MOSFET および IGBT を駆動するための高度に構成可能で駆動能力可変の絶縁型ゲート ドライバです。シャント抵抗をベースにした過電流検出、過熱 (PTC、NTC またはダイオード) 検出、DESAT 検出などによるパワー トランジスタ保護機能を備えており、これらの障害発生時にソフト ターンオフまたは 2 レベルのソフト ターンオフを選択できます。内蔵の 10 ビット ADC を使うと、最大 2 つのアナログ入力 (VCC2、DESAT) とゲート ドライバ温度を監視することでシステム管理を強化できます。ASIL 準拠システムの設計を簡素化する診断および検出機能を内蔵しています。これらの機能のパラメータとスレッショルドは SPI を使って設定できるため、本デバイスはほとんどすべての SiC MOSFET または IGBT と組み合わせて使用できます。

UCC5880‌-Q1 デバイスは、EV/HEV アプリケーションの大電力 SiC MOSFET および IGBT を駆動するための高度に構成可能で駆動能力可変の絶縁型ゲート ドライバです。シャント抵抗をベースにした過電流検出、過熱 (PTC、NTC またはダイオード) 検出、DESAT 検出などによるパワー トランジスタ保護機能を備えており、これらの障害発生時にソフト ターンオフまたは 2 レベルのソフト ターンオフを選択できます。内蔵の 10 ビット ADC を使うと、最大 2 つのアナログ入力 (VCC2、DESAT) とゲート ドライバ温度を監視することでシステム管理を強化できます。ASIL 準拠システムの設計を簡素化する診断および検出機能を内蔵しています。これらの機能のパラメータとスレッショルドは SPI を使って設定できるため、本デバイスはほとんどすべての SiC MOSFET または IGBT と組み合わせて使用できます。

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技術資料

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設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

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試験報告書: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SSOP (DFC) 32 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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