JAJSL02A July   2022  – August 2022 DRV3255-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
  4. 4Revision History
  5. 5Device and Documentation Support
    1. 5.1 Device Support
      1. 5.1.1 Device Nomenclature
    2. 5.2 Documentation Support
      1. 5.2.1 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 5.3 サポート・リソース
    4. 5.4 Trademarks
    5. 5.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 5.6 Glossary
  6. 6Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 6.1 Package Option Addendum
    2. 6.2 Tape and Reel Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

特長

  • 車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み:
    • デバイス周囲温度グレード 0:-40℃~+150℃
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
  • 機能安全準拠予定
    • 機能安全アプリケーション向けに開発
    • ISO 26262 システムの設計に役立つ資料を製品リリース時に提供予定
    • ASIL D までを対象の決定論的対応能力
  • 3 つの N チャネル・ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ
    • 3.5A/4.5A の最大ピーク・ゲート駆動電流
    • 48V アプリケーション向けに最適化された電源アーキテクチャ
    • 12V/48V 分割電源アーキテクチャ
    • DC リンク電源 (DHCP) の過渡電圧の絶対最大定格:95V
    • 90V の MOSFET 動作電圧範囲に対応するブートストラップ電圧:105V
    • 100% デューティ・サイクルのための・チャージ・ポンプ付きブートストラップ
  • 設定可能なアクティブ短絡 (ASC) 機能を内蔵
    • ローサイドおよびハイサイド ASC のサポート
    • デバイス・ピン制御を使用可能
    • フォルト処理機能
  • CRC 付きシリアル・ペリフェラル・インターフェイス (SPI)
  • 3.3V と 5V のロジック入力をサポート
  • 先進の保護機能
    • バッテリ電圧モニタ
    • MOSFET VDS 過電流監視
    • MOSFET VGS ゲート・フォルト監視
    • アナログの内蔵セルフ・テスト
    • 内部レギュレータおよびクロック・モニタ
    • デバイス熱警告とシャットダウン
    • フォルト条件インジケータ・ピン