1 特長

車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み：
- デバイス周囲温度グレード 0：-40℃～+150℃
- デバイス HBM ESD 分類レベル 2
- デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
機能安全準拠予定
- 機能安全アプリケーション向けに開発
- ISO 26262 システムの設計に役立つ資料を製品リリース時に提供予定
- ASIL D までを対象の決定論的対応能力
3 つの N チャネル・ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ
- 2A/2.5A の最大ピーク・ゲート駆動電流
- 48V アプリケーション向けに最適化された電源アーキテクチャ
- 12V/48V 分割電源アーキテクチャ
- DC リンク電源 (DHCP) の過渡電圧の絶対最大定格：95V
- 90V の MOSFET 動作電圧範囲に対応するブートストラップ電圧：105V
- 100% デューティ・サイクルのためのチャージ・ポンプ付きブートストラップ
1x (DRV3256A-Q1) または 3x (DRV3256-Q1) の電流シャント・アンプを内蔵
構成可能なアクティブ短絡 (ASC) 機能を内蔵
- ローサイド (DRV3256A-Q1) またはローサイドおよびハイサイド (DRV3256-Q1/DRV3256B-Q1) ASC のサポート
- ローサイドおよびハイサイド ASC のサポート
- デバイス・ピン制御を使用可能
- フォルト処理機能
CRC 付きシリアル・ペリフェラル・インターフェイス (SPI)
3.3V と 5V のロジック入力をサポート
先進の保護機能
- バッテリ電圧モニタ
- MOSFET V_DS 過電流監視
- R_shunt 過電流モニタ
- MOSFET V_GS ゲート・フォルト監視
- アナログの内蔵セルフ・テスト
- 内部レギュレータおよびクロック・モニタ
- デバイス熱警告とシャットダウン
- フォルト条件インジケータ・ピン