MSPM0 MCU には、静的書き込み保護方式が実装されており、MAIN フラッシュ領域のユーザー定義セクタを実行時のプログラム / 消去操作からロックアウトできます。目的の静的書き込み保護方式は、NONMAIN フラッシュ領域のブート・セキュリティ・ポリシーの一部として構成されます。

目的

静的書き込み保護により、次の特性を持つ固定のユーザー定義アプリケーションをフラッシュ・メモリに配置できるようになります。

• プログラムおよびロックされた後は、アプリケーション・コードまたは ROM ブートローダで変更することはできません。
• コードをフラッシュ・メモリの先頭に配置すると、ROM ブート構成ルーチンがユーザー・アプリケーションに実行を移行すると、必ずそのコードが最初に実行されます。

MSPM0 静的書き込み保護は両方の特性をサポートしており、セキュア・ブート・イメージ・マネージャを実装するにはこれらの特性を満たす必要があります。

機能

NONMAIN のセクタが書き込みロックされている場合、ブート構成ルーチンがブートストラップ・ローダまたは MAIN フラッシュ内のユーザー・アプリケーション・コードに実行を移行する場合、機能を変更することはできません。静的に保護されたセクタをアプリケーション・コードまたはブートストラップ・ローダでプログラムまたは消去しようとすると、ハードウェア・フラッシュ動作エラーが発生し、セクタは変更されません。

静的書き込み保護は、アプリケーション・コードまたはブートローダによる変更は防止しますが、SWD インターフェイス経由で送信される一括消去または工場出荷時リセット・コマンドは実行されます。この動作が望ましくない場合は、一括消去または工場出荷時リセットを行う SWD コマンドを固有のパスワードを使用して保護するか、ディセーブルできます (SWD ポリシーを参照)。静的に書き込み保護された MAIN フラッシュ・セクタを変更する手段を完全に削除するには、一括消去および工場出荷時リセット・コマンド (または SW-DP) をディセーブルする必要があります。また、NONMAIN ブート構成メモリを静的に書き込み保護し、アプリケーション・コードが NONMAIN 領域の内容を変更して下位の書き込み保護方式を変更するのを防止する必要があります。これについては、次のセクションで説明します。