図 3-1 に、ローサイド ブレーキ IGBT ゲート駆動テスト用のプラットフォームを示します。LAUNCHXL-F28379D の C2000™ LaunchPad™ をシステム コントローラとして使用し、10kHz、デューティ サイクル 10% の一連の PWM パルス、つまり 100μs 周期で 10μs のオン タイムを生成して、ローサイド IGBT を駆動します。また、LaunchPad は AMC23C11 の LATCH 入力に対して High 出力を生成し、GPIO で nDESAT 信号を監視します。

OCP または SCP の状況をテストするために、600V 10A のディスクリート IGBT を使用し、2 つの 1.5Ω 3W 抵抗を並列に配置してブレーキ抵抗をエミュレートします。これらの抵抗は、IGBT コレクタと 350V DC+ レールの間に挿入します。テスト結果を 図 4-4 に示します。

このテストでは、IGBT がオンになると (t = 0s)、コレクタ電流が上昇し始め、間もなく約 90A で飽和しました (t = 480ns)。テスト済みの IGBT のデータシートによると、コレクタ電流が 70A に達すると、V_CE は回路に設定された 8V のトリガ レベルまで上昇します。DESAT は、約 780ns のブランキング時間の後に絶縁型コンパレータ AMC23C11 によって検出されました。通常 240ns の内部遅延の後、AMC23C11 の OUT は Low にシフトし (t = 1.04μs)、ラッチされます (LATCH が High に設定されている場合)。nDESAT のグリッチ除去フィルタによる約 340ns の遅延の後、NAND ゲート SN74LVC1G00 の出力が High にシフトし、USS23513 の入力電流が遮断され、ゲート ドライバは VGATE をプルダウンします (t = 1.44μs)。IGBT の電流が 70A に達してから、GATE が Low になった後に電流が下がり始めるまでの DESAT 応答時間は、わずか約 1.16μs でした。