JAJS136K January   2006  – January 2024 TPS5430 , TPS5431

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報 (DDA パッケージ)
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1  発振周波数
      2. 6.3.2  基準電圧
      3. 6.3.3  イネーブル (ENA) と内部スロースタート時間
      4. 6.3.4  低電圧誤動作防止 (UVLO)
      5. 6.3.5  ブースト･キャパシタ (BOOT)
      6. 6.3.6  出力フィードバック (VSENSE) と内部補償
      7. 6.3.7  電圧フィード･フォワード
      8. 6.3.8  パルス幅変調 (PWM) 制御
      9. 6.3.9  過電流保護
      10. 6.3.10 過電圧保護
      11. 6.3.11 サーマル・シャットダウン
    4. 6.4 デバイスの機能モード
      1. 6.4.1 最小入力電圧付近での動作
      2. 6.4.2 ENA 制御による動作
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 12V 入力から 5.0V 出力
        1. 7.2.1.1 設計要件
        2. 7.2.1.2 詳細な設計手順
          1. 7.2.1.2.1 WEBENCH® ツールによるカスタム設計
          2. 7.2.1.2.2 スイッチング周波数
          3. 7.2.1.2.3 入力キャパシタ
          4. 7.2.1.2.4 出力フィルタ部品
            1. 7.2.1.2.4.1 インダクタの選択
            2. 7.2.1.2.4.2 キャパシタの選択
          5. 7.2.1.2.5 出力電圧設定点
          6. 7.2.1.2.6 ブート コンデンサ
          7. 7.2.1.2.7 キャッチ ダイオード
          8. 7.2.1.2.8 詳細情報
            1. 7.2.1.2.8.1 出力電圧の制限
            2. 7.2.1.2.8.2 内部補償回路
            3. 7.2.1.2.8.3 熱に関する計算
        3. 7.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 7.2.2 TPS5430 を使用した広い入力電圧範囲
        1. 7.2.2.1 設計要件
        2. 7.2.2.2 詳細な設計手順
        3. 7.2.2.3 TPS5431 を使用した広い入力電圧範囲
          1. 7.2.2.3.1 設計要件
          2. 7.2.2.3.2 詳細な設計手順
      3. 7.2.3 セラミック出力フィルタ キャパシタを使用する回路
        1. 7.2.3.1 設計要件
        2. 7.2.3.2 詳細な設計手順
          1. 7.2.3.2.1 出力フィルタ部品の選択
          2. 7.2.3.2.2 外部補償回路
    3. 7.3 電源に関する推奨事項
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 7.4.2 レイアウト例
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 デバイスのサポート
      1. 8.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
      2. 8.1.2 開発サポート
        1. 8.1.2.1 WEBENCH® ツールによるカスタム設計
    2. 8.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 8.3 サポート・リソース
    4. 8.4 商標
    5. 8.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 8.6 用語集
  10. 9 Revision History
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

6.3.9 過電流保護

過電流保護は、ハイサイド MOSFET のドレイン-ソース間の電圧を検出することで実行されます。ドレイン-ソース間の電圧は、過電流スレッショルド制限値に相当する電圧レベルと比較されます。ドレイン-ソース間の電圧が過電流スレッショルド制限値を超えた場合、過電流インジケータがセットされます。システムは、ターンオン･ノイズによる誤作動を回避するために、各サイクルの最初のリーディング･エッジ･ブランキング時間内は過電流インジケータを無視します。

過電流インジケータがセットされると、過電流保護がトリガされます。ハイサイド MOSFET は、伝播遅延の後、サイクルの残り時間の間オフになります。この過電流保護モードは、サイクルごとの電流制限と呼ばれます。

短絡などの深刻な過負荷条件が発生した場合、サイクルごとの電流制限を使用しても過電流を抑制できないことがあります。その場合、電流制限の 2 番目のモード、つまり hiccup モードの電流制限が使用されます。hiccup モードの過電流保護中は、基準電圧は接地され、ハイサイド MOSFET は hiccup 期間の間オフになります。hiccup 期間が完了すると、レギュレータはスロー スタート回路の制御により再起動されます。