TPS54218デバイスは完全な機能を持つ6V、2A、同期整流降圧型電流モード・コンバータで、2つのMOSFETが内蔵されています。
TPS54218デバイスにはMOSFETが内蔵され、電流モード制御の実装により外付け部品数が減少し、最高2MHzのスイッチング周波数が可能なためインダクタのサイズが小さくなり、小型の3mm×3mmの熱的に強化されたQFNパッケージによりデバイスの占有面積が最小化されるため、小型のデバイスを設計できます。
TPS54218デバイスは、±1%の高精度基準電圧(VREF)により、温度にかかわらず各種の負荷について正確なレギュレーションを行います。
内蔵の30mΩ MOSFETと標準値350μAの消費電流により、効率が最大化されます。ENピンを使用してシャットダウン・モードに移行でき、シャットダウン時の消費電流は2μAに低下します。
型番 | パッケージ | 本体サイズ(公称) |
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TPS54218 | WQFN (16) | 3.00mm×3.00mm |
Changes from D Revision (April 2018) to E Revision
Changes from C Revision (December 2014) to D Revision
Changes from B Revision (June 2013) to C Revision
Changes from A Revision (August 2012) to B Revision
Changes from * Revision (September 2009) to A Revision
低電圧誤動作防止は内部で2.6Vに設定されていますが、イネーブル・ピンの抵抗回路でスレッショルドをプログラムすることにより、さらに高い電圧に設定できます。起動時の出力電圧の上昇は、ソフト・スタート・ピンによって制御されます。出力が公称電圧の93%~107%の範囲内にあるとき、オープン・ドレインのパワー・グッド信号で示されます。周波数のフォールドバックとサーマル・シャットダウンにより、過電流時にデバイスが保護されます。
SWIFT™の詳しいドキュメントについては、TIのWebサイト(www.ti.com/swift)を参照してください。
PIN | I/O(1) | DESCRIPTION | |
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NAME | NO. | ||
AGND | 5 | G | Analog ground should be electrically connected to GND close to the device. |
BOOT | 13 | I | A bootstrap capacitor is required between BOOT and PH. If the voltage on this capacitor is below the minimum required by the BOOT UVLO, the output is forced to switch off until the capacitor is refreshed. |
COMP | 7 | O | Error amplifier output, and input to the output switch current comparator. Connect frequency compensation components to this pin. |
EN | 15 | I | Enable pin, internal pull-up current source. Pull below 1.2 V to disable. Float to enable. Can be used to set the on/off threshold (adjust UVLO) with two additional resistors. |
GND | 3 | G | Power ground. This pin should be electrically connected directly to the power pad under the device. |
4 | |||
PH | 10 | O | The source of the internal high-side power MOSFET, and drain of the internal low-side (synchronous) rectifier MOSFET. |
11 | |||
12 | |||
PWRGD | 14 | O | An open drain output, asserts low if output voltage is low due to thermal shutdown, overcurrent, over/under-voltage or EN shut down. |
RT/CLK | 8 | I/O | Resistor Timing or External Clock input pin. |
SS | 9 | I/O | Slow-start. An external capacitor connected to this pin sets the output voltage rise time. Soft |
VIN | 1 | I | Input supply voltage, 2.95 V to 6 V. |
2 | |||
16 | |||
VSENSE | 6 | I | Inverting node of the transconductance (gm) error amplifier. |
Thermal Pad | G | GND pin should be connected to the exposed power pad for proper operation. This power pad should be connected to any internal PCB ground plane using multiple vias for good thermal performance. |
MIN | MAX | UNIT | ||
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Input voltage | EN, PWRGD, VIN | –0.3 | 7 | V |
RT/CLK | –0.3 | 6 | ||
COMP, SS, VSENSE | –0.3 | 3 | ||
BOOT | VPH+ 8 V | |||
Output voltage | BOOT-PH | 8 | V | |
PH | –0.6 | 7 | ||
PH (10 ns transient) | –2 | 7 | ||
Source current | EN, RT/CLK | 100 | µA | |
Sink current | COMP, SS | 100 | µA | |
PWRGD | 10 | mA | ||
Operating junction temperature, TJ | –40 | 150 | °C | |
Storage temperature, Tstg | –65 | 150 | °C |