JAJSBH1D July   2011  – October 2016 BQ76925

PRODUCTION DATA.  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
  4. 改訂履歴
  5. 概要(続き)
  6. Pin Configuration and Functions
  7. Specifications
    1. 7.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2  ESD Ratings
    3. 7.3  Recommended Operating Conditions
    4. 7.4  Thermal Information
    5. 7.5  Electrical Characteristics: Supply Current
    6. 7.6  Internal Power Control (Startup and Shutdown)
    7. 7.7  3.3-V Voltage Regulator
    8. 7.8  Voltage Reference
    9. 7.9  Cell Voltage Amplifier
    10. 7.10 Current Sense Amplifier
    11. 7.11 Overcurrent Comparator
    12. 7.12 Internal Temperature Measurement
    13. 7.13 Cell Balancing and Open Cell Detection
    14. 7.14 I2C Compatible Interface
    15. 7.15 Typical Characteristics
  8. Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Internal LDO Voltage Regulator
      2. 8.3.2 ADC Interface
        1. 8.3.2.1 Reference Voltage
          1. 8.3.2.1.1 Host ADC Calibration
        2. 8.3.2.2 Cell Voltage Monitoring
          1. 8.3.2.2.1 Cell Amplifier Headroom Under Extreme Cell Imbalance
          2. 8.3.2.2.2 Cell Amplifier Headroom Under BAT Voltage Drop
        3. 8.3.2.3 Current Monitoring
        4. 8.3.2.4 Overcurrent Monitoring
        5. 8.3.2.5 Temperature Monitoring
          1. 8.3.2.5.1 Internal Temperature Monitoring
      3. 8.3.3 Cell Balancing and Open Cell Detection
    4. 8.4 Device Functional Modes
      1. 8.4.1 Power Modes
        1. 8.4.1.1 POWER ON RESET (POR)
        2. 8.4.1.2 STANDBY
        3. 8.4.1.3 SLEEP
    5. 8.5 Programming
      1. 8.5.1 Host Interface
        1. 8.5.1.1 I2C Addressing
        2. 8.5.1.2 Bus Write Command to bq76925
        3. 8.5.1.3 Bus Read Command from bq76925 Device
    6. 8.6 Register Maps
      1. 8.6.1 Register Descriptions
  9. Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
      1. 9.1.1 Recommended System Implementation
        1. 9.1.1.1 Voltage, Current, and Temperature Outputs
        2. 9.1.1.2 Power Management
        3. 9.1.1.3 Low Dropout (LDO) Regulator
        4. 9.1.1.4 Input Filters
        5. 9.1.1.5 Output Filters
      2. 9.1.2 Cell Balancing
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 9.2.3 Application Curves
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 12.3 コミュニティ・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 12.6 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

概要(続き)

外部センス抵抗の両端にわたる電圧が増幅され、ホストADCへ出力されることで、充電電流と放電電流を測定できます。2つのゲイン設定により、広範なパック電流にわたって、さまざまなセンス抵抗値による動作が可能です。

ホストによる温度測定を可能にするため、AFEには外部サーミスタ回路のバイアス用に個別の出力ピンが用意されています。この出力はホスト制御によってオン/オフを切り替え、消費電力を最小限に抑えることが可能です。

bq76925にはコンパレータが内蔵されており、電流監視用のスレッショルドを動的に選択できます。コンパレータの結果はオープン・ドレイン出力から供給され、スレッショルドを超えたときはホストに通知されます。この機能を利用して、負荷の接続時にホストをウェークアップしたり、フォルト状況の可能性をホストに警告したりできます。

bq76925デバイスには、ホストにより完全に制御可能なセル・バランシングFETが内蔵されています。バランシング電流は外部の抵抗により設定され、最大値は50mAです。これらのFETをセルの電圧測定と組み合わせて使用し、セル・センスライン上の断線検出が可能です。

ホストはI2Cインターフェイス経由でAFEと通信します。オプションとしてパケットCRCを使用し、堅牢な動作を実現できます。このデバイスは、I2Cインターフェイスにより低電流のスリープ・モードに移行でき、ALERTピンをプルアップしてウェークアップできます。