JAJSCI4 September   2016 ISO5852S-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 概要（続き）
  6. 6 Pin Configuration and Function
  7. 7 Specifications
    1. 7.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2  ESD Ratings
    3. 7.3  Recommended Operating Conditions
    4. 7.4  Thermal Information
    5. 7.5  Power Ratings
    6. 7.6  Insulation Specifications
    7. 7.7  Safety Limiting Values
    8. 7.8  Safety-Related Certifications
    9. 7.9  Electrical Characteristics
    10. 7.10 Switching Characteristics
    11. 7.11 Safety and Insulation Characteristics Curves
    12. 7.12 Typical Characteristics
  8. 8 Parameter Measurement Information
  9. 9 Detailed Description
    1. 9.1 Overview
    2. 9.2 Functional Block Diagram
    3. 9.3 Feature Description
      1. 9.3.1 Supply and Active Miller clamp
      2. 9.3.2 Active Output Pulldown
      3. 9.3.3 Undervoltage Lockout (UVLO) With Ready (RDY) Pin Indication Output
      4. 9.3.4 Soft Turnoff, Fault (FLT) and Reset (RST)
      5. 9.3.5 Short Circuit Clamp
    4. 9.4 Device Functional Modes
  10. 10Application and Implementation
    1. 10.1 Application Information
    2. 10.2 Typical Applications
      1. 10.2.1 Design Requirements
      2. 10.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 10.2.2.1  Recommended ISO5852S-Q1 Application Circuit
        2. 10.2.2.2  FLT and RDY Pin Circuitry
        3. 10.2.2.3  Driving the Control Inputs
        4. 10.2.2.4  Local Shutdown and Reset
        5. 10.2.2.5  Global-Shutdown and Reset
        6. 10.2.2.6  Auto-Reset
        7. 10.2.2.7  DESAT Pin Protection
        8. 10.2.2.8  DESAT Diode and DESAT Threshold
        9. 10.2.2.9  Determining the Maximum Available, Dynamic Output Power, POD-max
        10. 10.2.2.10 Example
        11. 10.2.2.11 Higher Output Current Using an External Current Buffer
      3. 10.2.3 Application Curves
  11. 11Power Supply Recommendations
  12. 12Layout
    1. 12.1 Layout Guidelines
    2. 12.2 PCB Material
    3. 12.3 Layout Example
  13. 13デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 13.1 ドキュメントのサポート
      1. 13.1.1 関連資料
    2. 13.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 13.3 コミュニティ・リソース
    4. 13.4 商標
    5. 13.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 13.6 Glossary
  14. 14メカニカル、パッケージ、および注文情報

5 概要（続き）

内部不飽和化(DESAT)フォルト検出により、IGBTが過電流状況にあることが認識されます。DESATが検出されると、ミュート・ロジックによりアイソレータの出力がただちにブロックされ、ソフト電源オフ手順が開始されて、OUTHピンがディセーブルされ、OUTLピンが2μsの間LOWになります。OUTLピンが、負の方向に最も大きい供給電圧であるVEE2との比較で2Vに達すると、ゲート・ドライバ出力がVEE2の電位に強制的に設定され、IGBTはただちにオフになります。

不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側のFLT出力がLOWになって、アイソレータ入力がブロックされます。ソフト電源オフ期間の間は、ミュート・ロジックがアクティブになります。FLT出力状況はラッチされ、RDYピンがHIGHに移行した後でのみ、RST入力のLOWアクティブ・パルスを使用してリセット可能です。

バイポーラ電源による通常動作時にIGBTがオフになると、出力はVEE2にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況でIGBTが動的にオンになることを防止できます。

ゲート・ドライバの動作準備は、入力側と出力側の電源を監視する2つの低電圧誤動作防止回路により制御されます。いずれかの側の電源が不十分な場合はRDY出力がLOWになり、そうでない場合はこの出力がHIGHになります。

ISO5852S-Q1デバイスは、16ピンのSOICパッケージで供給されます。デバイスの動作は、-40℃～+125℃の周囲温度範囲について規定されています。