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ISO5852S-Q1

アクティブ

車載対応、分割出力対応、アクティブ保護機能搭載、5.7kVrms、2.5A/5A、シングルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ

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比較対象デバイスと同等の機能で、ピン配置が異なる製品
UCC21750-Q1 アクティブ 車載、DESAT (脱飽和) 機能搭載、クランプ内蔵、IGBT/SiC 向け、5.7kVrms、±10A、シングルチャネル絶縁型ゲート ドライバ Newer generation, integrated Analog-to-PWM sensor

ISO5852S-Q1

アクティブ
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製品詳細

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 5 Features Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Soft turnoff, Split output Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 15 Input supply voltage (min) (V) 2.25 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.076 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 18 Fall time (ns) 20 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 5 Features Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Soft turnoff, Split output Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 15 Input supply voltage (min) (V) 2.25 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.076 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 18 Fall time (ns) 20 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 車載アプリケーションに対応
  • 下記内容でAEC-Q100認定済み：
    • デバイス温度グレード1: 動作時周囲温度範囲　　　　–40°C～125°C
    • デバイスHBM分類レベル3A
    • デバイスCDM分類レベルC6
  • VCM = 1500Vのとき、最小同相過渡耐性(CMTI) 100kV/μs
  • 分割出力により2.5Aのピーク・ソースおよび
    5Aのピーク・シンク電流を供給
  • 短い伝搬遅延: 76ns (標準値)、
    110ns (最大値)
  • 2Aのアクティブ・ミラー・クランプ
  • 出力短絡クランプ
  • 短絡時のソフト電源オフ(STO)機能
  • 不飽和化検出時のフォルト・アラームはFLTにより通知され、RSTによりリセット
  • 入出力低電圧誤動作防止(UVLO)、レディ(RDY)ピンによる標示付き
  • 低電源またはフローティング入力時のアクティブ出力プルダウンおよびデフォルトLOW出力
  • 入力電源電圧: 2.25V～5.5V
  • 出力ドライバ供給電圧: 15V～30V
  • CMOS互換の入力
  • 20ns未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
  • 絶縁サージ耐久電圧: 12800VPK
  • 安全関連の認定:
    • 8000VPK VIOTMおよび2121VPK VIORMの、DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12準拠の強化絶縁
    • UL1577準拠で5700VRMSにおいて1分間の絶縁
    • CSA Component Acceptance Notice 5A、IEC-60950-1、およびIEC 60601-1最終機器標準
    • EN 61010-1およびEN 60950-1準拠のTUV認定
    • GB4943.1-2011 CQC認定
    • UL、VDE、CQC、TUV準拠の認定は完了、CSAは計画中

アプリケーション

  • 次のような用途の絶縁IGBTおよびMOSFETドライブ
    • HEVおよびEVの電源モジュール
    • 産業用モータ制御ドライブ
    • 産業用電源
    • ソーラー・インバータ
    • 誘導加熱

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  • 車載アプリケーションに対応
  • 下記内容でAEC-Q100認定済み：
    • デバイス温度グレード1: 動作時周囲温度範囲　　　　–40°C～125°C
    • デバイスHBM分類レベル3A
    • デバイスCDM分類レベルC6
  • VCM = 1500Vのとき、最小同相過渡耐性(CMTI) 100kV/μs
  • 分割出力により2.5Aのピーク・ソースおよび
    5Aのピーク・シンク電流を供給
  • 短い伝搬遅延: 76ns (標準値)、
    110ns (最大値)
  • 2Aのアクティブ・ミラー・クランプ
  • 出力短絡クランプ
  • 短絡時のソフト電源オフ(STO)機能
  • 不飽和化検出時のフォルト・アラームはFLTにより通知され、RSTによりリセット
  • 入出力低電圧誤動作防止(UVLO)、レディ(RDY)ピンによる標示付き
  • 低電源またはフローティング入力時のアクティブ出力プルダウンおよびデフォルトLOW出力
  • 入力電源電圧: 2.25V～5.5V
  • 出力ドライバ供給電圧: 15V～30V
  • CMOS互換の入力
  • 20ns未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
  • 絶縁サージ耐久電圧: 12800VPK
  • 安全関連の認定:
    • 8000VPK VIOTMおよび2121VPK VIORMの、DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12準拠の強化絶縁
    • UL1577準拠で5700VRMSにおいて1分間の絶縁
    • CSA Component Acceptance Notice 5A、IEC-60950-1、およびIEC 60601-1最終機器標準
    • EN 61010-1およびEN 60950-1準拠のTUV認定
    • GB4943.1-2011 CQC認定
    • UL、VDE、CQC、TUV準拠の認定は完了、CSAは計画中

アプリケーション

  • 次のような用途の絶縁IGBTおよびMOSFETドライブ
    • HEVおよびEVの電源モジュール
    • 産業用モータ制御ドライブ
    • 産業用電源
    • ソーラー・インバータ
    • 誘導加熱

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ISO5852S-Q1デバイスは、IGBTおよびMOSFET用の5.7kVRMS強化絶縁ゲート・ドライバで、分割出力のOUTHとOUTLがあり、2.5Aのソース電流と5Aのシンク電流を供給できます。入力側は、単一の2.25V～5.5V電源で動作します。出力側は、最低15V、最高30Vの電源を供給できます。2つの相補CMOS入力により、ゲート・ドライバの出力状態が制御されます。伝搬時間が76nsと短いため、出力ステージを正確に制御できます。

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内部不飽和化(DESAT)フォルト検出により、IGBTが過電流状況にあることが認識されます。DESATが検出されると、ミュート・ロジックによりアイソレータの出力がただちにブロックされ、ソフト電源オフ手順が開始されて、OUTHピンがディセーブルされ、OUTLピンが2μsの間LOWになります。OUTLピンが、負の方向に最も大きい供給電圧であるVEE2との比較で2Vに達すると、ゲート・ドライバ出力がVEE2の電位に強制的に設定され、IGBTはただちにオフになります。

不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側のFLT出力がLOWになって、アイソレータ入力がブロックされます。ソフト電源オフ期間の間は、ミュート・ロジックがアクティブになります。FLT出力状況はラッチされ、RDYピンがHIGHに移行した後でのみ、RST入力のLOWアクティブ・パルスを使用してリセット可能です。

バイポーラ電源による通常動作時にIGBTがオフになると、出力はVEE2にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況でIGBTが動的にオンになることを防止できます。

ゲート・ドライバの動作準備は、入力側と出力側の電源を監視する2つの低電圧誤動作防止回路により制御されます。いずれかの側の電源が不十分な場合はRDY出力がLOWになり、そうでない場合はこの出力がHIGHになります。

ISO5852S-Q1デバイスは、16ピンのSOICパッケージで供給されます。デバイスの動作は、-40℃～+125℃の周囲温度範囲について規定されています。

ISO5852S-Q1デバイスは、IGBTおよびMOSFET用の5.7kVRMS強化絶縁ゲート・ドライバで、分割出力のOUTHとOUTLがあり、2.5Aのソース電流と5Aのシンク電流を供給できます。入力側は、単一の2.25V～5.5V電源で動作します。出力側は、最低15V、最高30Vの電源を供給できます。2つの相補CMOS入力により、ゲート・ドライバの出力状態が制御されます。伝搬時間が76nsと短いため、出力ステージを正確に制御できます。

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内部不飽和化(DESAT)フォルト検出により、IGBTが過電流状況にあることが認識されます。DESATが検出されると、ミュート・ロジックによりアイソレータの出力がただちにブロックされ、ソフト電源オフ手順が開始されて、OUTHピンがディセーブルされ、OUTLピンが2μsの間LOWになります。OUTLピンが、負の方向に最も大きい供給電圧であるVEE2との比較で2Vに達すると、ゲート・ドライバ出力がVEE2の電位に強制的に設定され、IGBTはただちにオフになります。

不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側のFLT出力がLOWになって、アイソレータ入力がブロックされます。ソフト電源オフ期間の間は、ミュート・ロジックがアクティブになります。FLT出力状況はラッチされ、RDYピンがHIGHに移行した後でのみ、RST入力のLOWアクティブ・パルスを使用してリセット可能です。

バイポーラ電源による通常動作時にIGBTがオフになると、出力はVEE2にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況でIGBTが動的にオンになることを防止できます。

ゲート・ドライバの動作準備は、入力側と出力側の電源を監視する2つの低電圧誤動作防止回路により制御されます。いずれかの側の電源が不十分な場合はRDY出力がLOWになり、そうでない場合はこの出力がHIGHになります。

ISO5852S-Q1デバイスは、16ピンのSOICパッケージで供給されます。デバイスの動作は、-40℃～+125℃の周囲温度範囲について規定されています。
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート ISO5852S-Q1 分割出力とアクティブ安全機能を搭載した高CMTI2.5Aおよび5A 強化絶縁IGBT、MOSFETゲート・ドライバ データシート PDF | HTML 最新英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2016年 10月 14日
証明書 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. S) 2024年 2月 29日
証明書 ISO5x5x CQC Certificate of Product Certification 2023年 11月 7日
ユーザー・ガイド UCC217xx and ISO5x5x Half-Bridge EVM User's Guide for Wolfspeed 1200-V SiC 2023年 9月 1日
証明書 ISO5451 CQC Certificate of Product Certification 2023年 8月 16日
証明書 TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. K) 2022年 8月 5日
証明書 UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. P) 2022年 8月 5日
アプリケーション・ノート ゲート駆動電流を増加させる 2 通りの方法の比較分析 (Rev. A) PDF | HTML 2022年 2月 17日
アプリケーション概要 The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 2021年 12月 16日
証明書 CSA Certification (Rev. Q) 2021年 6月 14日
アプリケーション概要 External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020年 2月 28日
アプリケーション概要 Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020年 2月 28日
アプリケーション・ノート Isolation Glossary (Rev. A) 2017年 9月 19日
EVM ユーザー ガイド (英語) ISO5852S Evaluation Module User's Guide (Rev. A) 2015年 9月 8日

設計および開発

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評価ボード

ISO5852SEVM — ISO5852SEVM - ISO5852S 評価モジュール

This evaluation module, featuring ISO5852S reinforced isolated gate driver device, allows designers to evaluate device AC and DC performance with a pre-populated 1-nF load or with a user-installed IGBT in either of the standard TO-247 or TO-220 packages.

ユーザー ガイド: PDF
TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

ISO5852S Unencrypted PSPICE Transient Model

SLLM446.ZIP (4 KB) - PSpice Model
ダウンロード
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
リクエスト
リファレンス・デザイン

TIDA-020014 — 3 種類の IGBT/SiC 向けバイアス電源ソリューション搭載、HEV/EV トラクション・インバータ出力段のリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインでは、ハイブリッド電気自動車および電気自動車 (HEV/EV) システム用の、3 つの 12V 車載バッテリ入力、4.2W バイアス電源ソリューションを持つ、トラクション・インバータの単相電力段を紹介します。すべてのバイアス電源ソリューションは、公称 12V の車載バッテリから、4.5V ～ 42V DC の広い入力電圧範囲を受け入れ、+15V、–8 V、または +20V、–4 V に構成可能な出力で、最大 180mA の出力電流を供給します。この電力段は、5.7kVRMS の強化絶縁型ゲート・ドライバを搭載し、SiC/IGBT (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-00794 — HEV/EV トラクション・インバータ向け IGBT モジュールの過熱保護リファレンス・デザイン

TIDA-00794 は、HEV / EV（ハイブリッド自動車 / 電気自動車）のトラクション・インバータ・システム内で IGBT を過熱から保護するための温度センス・ソリューションのリファレンス・デザインです。この製品は、IGBT モジュール内部に統合されている NTC サーミスタを通じて IGBT の温度を監視します。NTC サーミスタの温度が上昇し、プログラム済みのスレッショルドを上回った時点で、IGBT ゲート・ドライバを過熱シャットダウンする機能を提供します。このリファレンス・デザインには、絶縁型 IGBT ゲート・ドライバ、高電圧との絶縁機能、NTC (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

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