JAJSE12A October   2017  – October 2017 TPS92830-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     概略回路図
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 概要(続き)
  6. 6 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  7. 7 Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Timing Requirements
    7. 7.7 Typical Characteristics
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Device Bias
        1. 8.3.1.1 Power-On-Reset (POR)
        2. 8.3.1.2 Current Reference (IREF)
        3. 8.3.1.3 Low-Current Fault Mode
      2. 8.3.2 Charge Pump
        1. 8.3.2.1 Charge Pump Architecture
      3. 8.3.3 Constant-Current Driving
        1. 8.3.3.1 High-Side Current Sense
        2. 8.3.3.2 High-Side Current Driving
        3. 8.3.3.3 Gate Overdrive Voltage Protection
        4. 8.3.3.4 High-Precision Current Regulation
        5. 8.3.3.5 Parallel MOSFET Driving
      4. 8.3.4 PWM Dimming
        1. 8.3.4.1 Supply Dimming
        2. 8.3.4.2 PWM Dimming by Input
        3. 8.3.4.3 Internal Precision PWM Generator
        4. 8.3.4.4 Full Duty-Cycle Switch
      5. 8.3.5 Analog Dimming
        1. 8.3.5.1 Analog Dimming Topology
        2. 8.3.5.2 Internal High-Precision Pullup Current Source
      6. 8.3.6 Output Current Derating
        1. 8.3.6.1 Output-Current Derating Topology
      7. 8.3.7 Diagnostics and Fault
        1. 8.3.7.1 LED Short-to-GND Detection
        2. 8.3.7.2 LED Short-to-GND Auto Retry
        3. 8.3.7.3 LED Open-Circuit Detection
        4. 8.3.7.4 LED Open-Circuit Auto Retry
        5. 8.3.7.5 Dropout-Mode Diagnostics
        6. 8.3.7.6 Overtemperature Protection
        7. 8.3.7.7 FAULT Bus Output With One-Fails–All-Fail
        8. 8.3.7.8 Fault Table
    4. 8.4 Device Functional Modes
      1. 8.4.1 Undervoltage Lockout, V(IN) < V(UVLO)
      2. 8.4.2 Normal Operation (V(IN) ≥ 4.5 V, V(IN) > V(LED) + 0.5 V)
      3. 8.4.3 Low-Voltage Dropout
      4. 8.4.4 Fault Mode (Fault Is Detected)
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Applications
      1. 9.2.1 Typical Application for Automotive Exterior Lighting With One-Fails–All-Fail
        1. 9.2.1.1 Design Requirements
        2. 9.2.1.2 Detailed Design Procedure
        3. 9.2.1.3 Application Curves
      2. 9.2.2 High-Precision Dual-Brightness PWM Generation
        1. 9.2.2.1 Dual-Brightness Application
        2. 9.2.2.2 Design Requirements
        3. 9.2.2.3 Detailed Design Procedure
        4. 9.2.2.4 Application Curve
      3. 9.2.3 Driving High-Current LEDs With Parallel MOSFETs
        1. 9.2.3.1 Application Curves
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 11.2 コミュニティ・リソース
    3. 11.3 商標
    4. 11.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 11.5 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

3 概要

ライトの均一性が求められる傾向から、車載用の前方および後方ランプには多くの場合に大電流LEDが、拡散板や導光板とともに使用されます。その一方で、厳格なEMCおよび信頼性の要件に合致するため、リニアLEDドライバが車載用アプリケーションで多く使われています。しかし、リニアLEDドライバ用の大電流を内蔵のパワー・トランジスタで供給するのは困難です。TPS92830-Q1デバイスは、外付けのNチャネルMOSFETを使用して大電流を供給するための、高度な車載グレードのハイサイド定電流リニアLEDコントローラです。このデバイスには、車載用アプリケーション向けの完全な機能セットがあり、広範なNチャネルMOSFETと互換性があります。

TPS92830-Q1デバイスの各チャネルは、センス抵抗の値により、独立にチャネル電流を設定します。内蔵の高精度定電流レギュレーション・ループは、センス抵抗の両端の電圧によってチャネルの電流を検出し、それに応じてNチャネルMOSFETのゲート電圧を制御します。このデバイスには、低ドロップアウト動作用の2段のチャージ・ポンプも内蔵されています。チャージ・ポンプの電圧は十分に高く、広範なNチャネルiMOSFETをサポートできます。iiii

製品情報(1)

型番パッケージ本体サイズ(公称)
TPS92830-Q1 TSSOP (28) 9.70mm×4.40mm
  1. 利用可能なすべてのパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。

概略回路図

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