JAJSEB4G October   2017  – February 2024 TLIN2029-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 ESD 定格 - IEC
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 推奨動作条件
    6. 5.6 電気的特性
    7. 5.7 スイッチング特性
    8. 5.8 タイミング要件
  7. 6 パラメータ測定情報
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  LIN (Local Interconnect Network) バス
        1. 7.3.1.1 LIN トランスミッタの特性
        2. 7.3.1.2 LIN レシーバの特性
          1. 7.3.1.2.1 終端
      2. 7.3.2  TXD (送信入力および出力)
      3. 7.3.3  RXD (受信出力)
      4. 7.3.4  VSUP (電源電圧)
      5. 7.3.5  GND (グランド)
      6. 7.3.6  EN (イネーブル入力)
      7. 7.3.7  保護機能
      8. 7.3.8  TXD ドミナント タイムアウト (DTO)
      9. 7.3.9  バスがドミナント状態で固着するシステム フォルト：偽のウェイクアップ誤動作防止
      10. 7.3.10 サーマル シャットダウン
      11. 7.3.11 VSUP の低電圧保護
      12. 7.3.12 電源なしデバイスと LIN バス
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 通常モード
      2. 7.4.2 スリープ モード
      3. 7.4.3 スタンバイ モード
      4. 7.4.4 ウェークアップ イベント
        1. 7.4.4.1 ウェークアップ要求 (RXD)
        2. 7.4.4.2 モード遷移
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 設計手順の詳細
        1. 8.2.2.1 通常モードのアプリケーション ノート
        2. 8.2.2.2 スタンバイ モードのアプリケーション ノート
          1. 8.2.2.2.1 TXD ドミナント状態タイムアウトのアプリケーション ノート
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.4.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

5.6 電気的特性

パラメータは -40℃ ≦ TA ≦ 125℃で有効 (特に記述のない限り)
パラメータ テスト条件 最小値 代表値 最大値 単位
電源
VSUP 動作電源電圧 (ISO/DIS 17987 Param 10、53) ‌本デバイスは、LIN で定義された公称電源電圧範囲外でも動作可能です。図 6-1 および図 6-2 を参照。 4 48 V
VSUP 公称電源電圧 (ISO/DIS 17987 Param 10, 53) 通常モードおよびスタンバイ モード：LIN 信号として 50% デューティ サイクル、36V 振幅の 10kHz 方形波を印加しながら、VSUP を立ち上げます。図 6-1 および図 6-2 を参照。 4 48 V
スリープ モード 4 48 V
UVSUP VSUP ‌低電圧スレッショルド 最小値は立ち下がりエッジ、最大値は立ち上がりエッジ 2.9 3.85 V
UVHYS VSUP 低電圧スレッショルドのヒステリシス電圧差 0.2 V
ISUP 消費電流 通常モード：EN = High、バス ドミナント：RLIN > 500Ω かつ CLIN < 10nF での総バス負荷 (図 6-7 を参照) 1.2 5 mA
スタンバイ モード：EN = Low、バス ドミナント：RLIN > 500Ω かつ CLIN < 10nF での総バス負荷 (図 6-7 を参照) 1 2.1 mA
ISUP 消費電流 通常モード：EN = High、バス リセッシブ (LIN = VSUP) 400 700 µA
スタンバイ モード：EN = Low、バス リセッシブ (LIN = VSUP) 20 35 µA
スリープ モード：4.0V < VSUP ≦ 27V、LIN = VSUP、EN = 0V、TXD と RXD はフローティング 9 15 µA
スリープ モード：27V < VSUP ≦ 48V、LIN = VSUP、EN = 0V、TXD と RXD はフローティング   30 µA
TSD サーマル シャットダウン 165 ℃
TSD(HYS) サーマル シャットダウン ヒステリシス 15 ℃
RXD 出力ピン (オープン ドレイン)
VOL 出力 LOW 電圧 RPU = 2.4kΩ 0.6 V
IOL Low レベル出力電流、オープン ドレイン LIN = 0V、RXD = 0.4V 1.5 mA
IILG リーク電流、High レベル LIN = VSUP、RXD = 5V -5 0 5 µA
TXD 入力ピン
VIL Low レベル入力電圧 -0.3 0.8 V
VIH High レベル入力電圧 2 5.5 V
IILG Low レベル入力リーク電流 TXD = Low -5 0 5 µA
RTXD 内部プルダウン抵抗値 125 350 800 kΩ
LIN ピン
VOH High レベル出力電圧 LIN リセッシブ、TXD = High、IO = 0mA、VSUP = 7V～48V (1) 0.85 VSUP
LIN リセッシブ、TXD = High、IO = 0mA、VSUP = 4V ≦ VSUP < 7V (1) 3 V
VOL Low レベル出力電圧 LIN ドミナント、TXD = Low、VSUP = 7V～48V (1) 0.2 VSUP
LIN ドミナント、TXD = Low、VSUP = 4V ≦ VSUP < 7V (1) 1.2 V
VSUP_NON_OP リセッシブの LIN バスの影響が < 5% の場合の VSUP (ISO/DIS 17987 Param 11、54/56) TXD & RXD オープン、LIN = 4V～58V -0.3 58 V
IBUS_LIM 制限電流 (ISO/DIS 17987 Param 57) TXD = 0V、VLIN = 36V、RMEAS = 440Ω、VSUP = 36V、VBUSdom < 4.518V 図 6-6 を参照してください 75 120 300 mA
IBUS_PAS_DOM レシーバのリーク電流、ドミナント (ISO/DIS 17987 Param 13, 58) LIN = 0V、VSUP = 24V、ドライバ オフ / リセッシブ、図 6-7 -1 mA
IBUS_PAS_rec1 レシーバのリーク電流、リセッシブ (ISO/DIS 17987 Param 14、59) LIN > VSUP、4V ≦ VSUP ≦ 45V、ドライバ オフ、図 6-8 20 µA
IBUS_PAS_rec2 レシーバのリーク電流、リセッシブ (ISO/DIS 17987 Param 14、59) LIN = VSUP、ドライバ オフ、図 6-8 -5 5 µA
IBUS_NO_GND リーク電流、グランド喪失 (ISO/DIS 17987 Param 15、60) GND = VSUP、VSUP = 27V、LIN = 0V、図 6-9 -1 1 mA
IBUS_NO_GND リーク電流、グランド喪失 (ISO/DIS 17987 Param 15、60) GND = VSUP、VSUP ≧ 36V、LIN = 0V、図 6-9 -1.5 1.5 mA
IBUS_NO_BAT リーク電流、電源喪失 (ISO/DIS 17987 Param 16、61) LIN = 48V、VSUP = GND、図 6-10 5 µA
VBUSdom Low レベル入力電圧 (ISO/DIS 17987 Param 17、62) LIN ドミナント (ウェークアップの LIN ドミナントを含む)、図 6-4 と図 6-3 を参照 0.4 VSUP
VBUSrec High レベル入力電圧 (ISO/DIS 17987 Param 18、63) LIN リセッシブ、図 6-4 と図 6-3 を参照 0.6 VSUP
VBUS_CNT レシーバのセンター スレッショルド (ISO/DIS 17987 Param 19、64) VBUS_CNT = (VIL + VIH)/2、図 6-4 と図 6-3 を参照 0.475 0.5 0.525 VSUP
VHYS ヒステリシス電圧 (ISO/DIS 17987 Param 20、65) VHYS = (VIL - VIH)、図 6-4 と図 6-3 を参照 0.175 VSUP
VSERIAL_DIODE 直列ダイオードの LIN 端子プルアップ経路  設計と特性評価による。 0.4 0.7 1 V
RPU-LIN V SUP に接続された内部プルアップ抵抗 通常モードとスタンバイ モード 20 45 60 kΩ
IRSLEEP VSUP に接続されたプルアップ電流源 スリープ モード、VSUP = 27 V、LIN = GND -2 -20 µA
CLINPIN LIN ピンの容量 VSUP = 14V 25 pF
EN 入力ピン
VIL Low レベル入力電圧 -0.3 0.8 V
VIH High レベル入力電圧 2 5.5 V
VIT ヒステリシス電圧 設計と特性評価による。 50 500 mV
IILG Low レベル入力電流 EN = Low -5 0 5 µA
REN 内部プルダウン抵抗 125 350 800 kΩ
(1) LIN ドライバのバス負荷条件 (CLIN、RLIN)：外部負荷なし