JAJSGJ4D August   2018  – April 2021 UCC21530-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成と機能
    1.     ピン機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1  絶対最大定格
    2. 6.2  ESD 定格
    3. 6.3  推奨動作条件
    4. 6.4  熱に関する情報
    5. 6.5  電力定格
    6. 6.6  絶縁仕様
    7. 6.7  安全関連認証
    8. 6.8  安全限界値
    9. 6.9  電気的特性
    10. 6.10 スイッチング特性
    11. 6.11 絶縁特性曲線
    12. 6.12 代表的特性
  7. 7 パラメータ測定情報
    1. 7.1 伝搬遅延とパルス幅歪み
    2. 7.2 立ち上がりおよび立ち下がり時間
    3. 7.3 入力とイネーブルの応答時間
    4. 7.4 プログラム可能なデッド・タイム
    5. 7.5 電源オン時の出力の UVLO 遅延
    6. 7.6 CMTI テスト
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 VDD、VCCI、低電圧誤動作防止 (UVLO)
      2. 8.3.2 入力および出力論理表
      3. 8.3.3 入力段
      4. 8.3.4 出力段
      5. 8.3.5 UCC21530-Q1 のダイオード構造
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 イネーブル・ピン
      2. 8.4.2 プログラマブル・デッド・タイム (DT) ピン
        1. 8.4.2.1 VCC に接続された DT ピン
        2. 8.4.2.2 DT ピンと GND ピンとの間の設定抵抗に接続される DT ピン
          1.        アプリケーションと実装
            1. 9.1 アプリケーション情報
            2. 9.2 代表的なアプリケーション
              1. 9.2.1 設計要件
              2. 9.2.2 詳細な設計手順
                1. 9.2.2.1 INA/INB 入力フィルタの設計
                2. 9.2.2.2 デッド・タイム抵抗およびコンデンサの選択
                3. 9.2.2.3 ゲート・ドライバの出力抵抗
                4. 9.2.2.4 ゲート・ドライバの電力損失の推定
                5. 9.2.2.5 接合部温度の推定
                6. 9.2.2.6 VCCI、VDDA/B コンデンサの選択
                  1. 9.2.2.6.1 VCCI コンデンサの選択
                7. 9.2.2.7 他のアプリケーション回路の例
              3. 9.2.3 アプリケーション曲線
                1.           電源に関する推奨事項
  9. 9 レイアウト
    1. 9.1 レイアウトのガイドライン
      1. 9.1.1 部品の配置に関する注意事項
      2. 9.1.2 接地に関する注意事項
      3. 9.1.3 高電圧に関する注意事項
      4. 9.1.4 熱に関する注意事項
    2. 9.2 レイアウト例
  10. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントのサポート
      1. 10.1.1 関連資料
    2. 10.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 10.3 コミュニティ・リソース
    4. 10.4 商標
      1.      メカニカル、パッケージ、および注文情報

9.1.2 接地に関する注意事項

  • トランジスタのゲートを充放電する大きなピーク電流を、最小限の物理的面積内にとどめることは不可欠です。そうすることで、ループのインダクタンスが小さくなり、トランジスタのゲート端子のノイズが最小限に抑えられます。ゲート・ドライバは、トランジスタのできるだけ近くに配置する必要があります。
  • ブートストラップ・コンデンサ、ブートストラップ・ダイオード、VSSB に対するローカル・バイパス・コンデンサ、ローサイド・トランジスタのボディ / 逆並列ダイオードを含む大電流経路に注意を払います。ブートストラップ・コンデンサは、VDD バイパス・コンデンサによってブートストラップ・ダイオードを通してサイクルごとに再充電されます。この再充電は短い時間間隔で行われ、大きなピーク電流を必要とします。回路基板上のループの長さと面積を最小化することは、動作の信頼性を確保する上で重要です。