JAJSGJ4D August   2018  – April 2021 UCC21530-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
  4. 改訂履歴
  5. ピン構成と機能
    1.     ピン機能
  6. 仕様
    1. 6.1  絶対最大定格
    2. 6.2  ESD 定格
    3. 6.3  推奨動作条件
    4. 6.4  熱に関する情報
    5. 6.5  電力定格
    6. 6.6  絶縁仕様
    7. 6.7  安全関連認証
    8. 6.8  安全限界値
    9. 6.9  電気的特性
    10. 6.10 スイッチング特性
    11. 6.11 絶縁特性曲線
    12. 6.12 代表的特性
  7. パラメータ測定情報
    1. 7.1 伝搬遅延とパルス幅歪み
    2. 7.2 立ち上がりおよび立ち下がり時間
    3. 7.3 入力とイネーブルの応答時間
    4. 7.4 プログラム可能なデッド・タイム
    5. 7.5 電源オン時の出力の UVLO 遅延
    6. 7.6 CMTI テスト
  8. 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 VDD、VCCI、低電圧誤動作防止 (UVLO)
      2. 8.3.2 入力および出力論理表
      3. 8.3.3 入力段
      4. 8.3.4 出力段
      5. 8.3.5 UCC21530-Q1 のダイオード構造
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 イネーブル・ピン
      2. 8.4.2 プログラマブル・デッド・タイム (DT) ピン
        1. 8.4.2.1 VCC に接続された DT ピン
        2. 8.4.2.2 DT ピンと GND ピンとの間の設定抵抗に接続される DT ピン
          1.        アプリケーションと実装
            1. 9.1 アプリケーション情報
            2. 9.2 代表的なアプリケーション
              1. 9.2.1 設計要件
              2. 9.2.2 詳細な設計手順
                1. 9.2.2.1 INA/INB 入力フィルタの設計
                2. 9.2.2.2 デッド・タイム抵抗およびコンデンサの選択
                3. 9.2.2.3 ゲート・ドライバの出力抵抗
                4. 9.2.2.4 ゲート・ドライバの電力損失の推定
                5. 9.2.2.5 接合部温度の推定
                6. 9.2.2.6 VCCI、VDDA/B コンデンサの選択
                  1. 9.2.2.6.1 VCCI コンデンサの選択
                7. 9.2.2.7 他のアプリケーション回路の例
              3. 9.2.3 アプリケーション曲線
                1.           電源に関する推奨事項
  9. レイアウト
    1. 9.1 レイアウトのガイドライン
      1. 9.1.1 部品の配置に関する注意事項
      2. 9.1.2 接地に関する注意事項
      3. 9.1.3 高電圧に関する注意事項
      4. 9.1.4 熱に関する注意事項
    2. 9.2 レイアウト例
  10. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントのサポート
      1. 10.1.1 関連資料
    2. 10.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 10.3 コミュニティ・リソース
    4. 10.4 商標
      1.      メカニカル、パッケージ、および注文情報

代表的特性

VDDA = VDDB = 15V、VCCI = 3.3V、TA = 25℃、無負荷 (特に記述のない限り)。

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図 6-4 チャネルあたりの消費電流と周波数との関係 (無負荷、VDD = 15V または 25V)
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図 6-6 チャネルあたりの消費電流 (IVDDA/B) と周波数との関係 (10nF 負荷、VDD = 15V または 25V)
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図 6-8 チャネルあたりの静止消費電流 (IVDDA/B) と温度との関係 (無負荷、入力 Low、スイッチングなし)
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図 6-10 立ち上がりおよび立ち下がり時間と負荷との関係
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図 6-12 伝搬遅延と温度との関係
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図 6-14 パルス幅歪みと温度との関係
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図 6-16 伝搬遅延マッチング (tDM) と温度との関係
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図 6-18 8V UVLO スレッショルドと温度との関係
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図 6-20 12V UVLO スレッショルドと温度との関係
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図 6-22 INA/B の Low スレッショルド
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図 6-24 EN スレッショルドのヒステリシスと温度との関係
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図 6-26 EN の High スレッショルド
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図 6-28 デッドタイム・マッチングと温度との関係 (RDT = 20kΩ および 100kΩ の場合)
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図 6-5 チャネルあたりの消費電流 (IVDDA/B) と周波数との関係 (1nF 負荷、VDD = 15V または 25V)
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図 6-7 チャネルあたりの消費電流 (IVDDA/B) と温度との関係 (VDD = 15V、無負荷、異なるスイッチング周波数)
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図 6-9 静止消費電流 (IVCCI) と温度との関係 (無負荷、入力 Low、スイッチングなし)
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図 6-11 出力抵抗と温度との関係
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図 6-13 伝搬遅延と VCCI との関係
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図 6-15 伝搬遅延マッチング (tDM) と VDD の比較
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図 6-17 8V UVLO ヒステリシスと温度との関係
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図 6-19 12V UVLO ヒステリシスと温度との関係
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図 6-21 INA/B ヒステリシスと温度との関係
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図 6-23 INA/B の High スレッショルド
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図 6-25 EN の Low スレッショルド
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図 6-27 デッドタイムと温度との関係 (RDT = 20kΩ および 100kΩ の場合)