JAJSGU3H March   2012  – March 2019 SN65HVD72 , SN65HVD75 , SN65HVD78

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  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
    1.     Device Images
      1.      代表的なアプリケーションの図
  4. 改訂履歴
  5. Device Comparison Table
  6. Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  7. Specifications
    1. 7.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2  ESD Ratings
    3. 7.3  Recommended Operating Conditions
    4. 7.4  Thermal Information
    5. 7.5  Electrical Characteristics
    6. 7.6  Power Dissipation
    7. 7.7  Switching Characteristics: 250 kbps Device (SN65HVD72) Bit Time ≥ 4 µs
    8. 7.8  Switching Characteristics: 20 Mbps Device (SN65HVD75) Bit Time ≥50 ns
    9. 7.9  Switching Characteristics: 50 Mbps Device (SN65HVD78) Bit Time ≥20 ns
    10. 7.10 Typical Characteristics
  8. Parameter Measurement Information
  9. Detailed Description
    1. 9.1 Overview
    2. 9.2 Functional Block Diagram
    3. 9.3 Feature Description
    4. 9.4 Device Functional Modes
  10. 10Application and Implementation
    1. 10.1 Application Information
    2. 10.2 Typical Application
      1. 10.2.1 Design Requirements
        1. 10.2.1.1 Data Rate and Bus Length
        2. 10.2.1.2 Stub Length
        3. 10.2.1.3 Bus Loading
        4. 10.2.1.4 Receiver Failsafe
        5. 10.2.1.5 Transient Protection
      2. 10.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 10.2.2.1 External Transient Protection
        2. 10.2.2.2 Isolated Bus Node Design
      3. 10.2.3 Application Curves
  11. 11Power Supply Recommendations
  12. 12Layout
    1. 12.1 Layout Guidelines
    2. 12.2 Layout Example
  13. 13デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 13.1 デバイス・サポート
      1. 13.1.1 デベロッパー・ネットワークの製品に関する免責事項
    2. 13.2 ドキュメントのサポート
      1. 13.2.1 関連資料
    3. 13.3 関連リンク
    4. 13.4 コミュニティ・リソース
    5. 13.5 商標
    6. 13.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 13.7 Glossary
  14. 14メカニカル、パッケージ、および注文情報

静電気放電に関する注意事項

esds-image

これらのデバイスは、限定的なESD(静電破壊)保護機能を内 蔵しています。保存時または取り扱い時は、MOSゲートに対す る静電破壊を防止するために、リード線同士をショートさせて おくか、デバイスを導電フォームに入れる必要があります。