JAJSHW5E September   2009  – July 2024 TS3USB221E

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Pin Configuration and Functions
  6. 5 Specifications
    1. 5.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2  ESD Ratings
    3. 5.3  Recommended Operating Conditions
    4. 5.4  Thermal Information
    5. 5.5  Electrical Characteristics
    6. 5.6  Dynamic Electrical Characteristics, VCC = 3.3 V ±10%
    7. 5.7  Dynamic Electrical Characteristics, VCC = 2.5 V ±10%
    8. 5.8  Switching Characteristics, VCC = 3.3 V ±10%
    9. 5.9  Switching Characteristics, VCC = 2.5 V ±10%
    10. 5.10 Typical Characteristics
  7.   Parameter Measurement Information
  8. 6 Detailed Description
    1. 6.1 Overview
    2. 6.2 Functional Block Diagram
    3. 6.3 Feature Description
      1. 6.3.1 Low Power Mode
    4. 6.4 Device Functional Modes
  9. 7 Application and Implementation
    1. 7.1 Application Information
    2. 7.2 Typical Application
      1. 7.2.1 Design Requirements
      2. 7.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 7.2.3 Application Curves
    3. 7.3 Power Supply Recommendations
    4. 7.4 Layout
      1. 7.4.1 Layout Guidelines
      2. 7.4.2 Layout Example
  10. 8 Device and Documentation Support
    1. 8.1 Documentation Support
      1. 8.1.1 Related Documentation
    2. 8.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 8.3 サポート・リソース
    4. 8.4 Trademarks
    5. 8.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 8.6 用語集
  11. 9 Revision History
  12. 10Mechanical, Packaging, and Orderable Information

1 特長

  • 2.3V～3.6V の VCC で動作
  • スイッチ I/O は最大 5.5V の信号に対応
  • 1.8V 互換の制御ピン入力
  • OE がディセーブルのとき低消費電力モード (1μA)
  • rON = 6Ω (最大値)
  • ΔrON = 0.2Ω (標準値)
  • CIO(ON) = 7pf (最大値)
  • 低消費電力 (最大 30μA)
  • ESD 性能を試験済み：
    • 人体モデルで 7000V (JEDEC JS-001 準拠)
    • 荷電デバイス モデルで 1000V (JEDEC JS-002 準拠)
  • I/O ポートから GND への ESD 性能：
    • 12kV 人体モデル (JEDEC JS-001)
    • ±7kV 接触放電 (IEC 61000-4-2)
  • 高帯域幅：1GHz (標準値)