JAJSJ94B September   2021  – August 2022 LM74722-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 Revision History
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. 7 Parameter Measurement Information
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Dual Gate Control (GATE, PD)
        1. 8.3.1.1 Reverse Battery Protection (A, C, GATE)
        2. 8.3.1.2 Load Disconnect Switch Control (PD)
        3. 8.3.1.3 Overvoltage Protection and Battery Voltage Sensing (VSNS, SW, OV)
      2. 8.3.2 Boost Regulator
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical 12-V Reverse Battery Protection Application
      1. 9.2.1 Design Requirements for 12-V Battery Protection
        1. 9.2.1.1 Automotive Reverse Battery Protection
          1. 9.2.1.1.1 Input Transient Protection: ISO 7637-2 Pulse 1
          2. 9.2.1.1.2 AC Super Imposed Input Rectification: ISO 16750-2 and LV124 E-06
          3. 9.2.1.1.3 Input Micro-Short Protection: LV124 E-10
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 Design Considerations
        2. 9.2.2.2 Boost Converter Components (C2, C3, L1)
        3. 9.2.2.3 Input and Output Capacitance
        4. 9.2.2.4 Hold-Up Capacitance
        5. 9.2.2.5 Overvoltage Protection and Battery Monitor
        6. 9.2.2.6 MOSFET Selection: Blocking MOSFET Q1
        7. 9.2.2.7 MOSFET Selection: Load Disconnect MOSFET Q2
        8. 9.2.2.8 TVS Selection
      3. 9.2.3 Application Curves
    3. 9.3 What to Do and What Not to Do
  10. 10Power Supply Recommendations
    1. 10.1 Transient Protection
    2. 10.2 TVS Selection for 12-V Battery Systems
    3. 10.3 TVS Selection for 24-V Battery Systems
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12Device and Documentation Support
    1. 12.1 Receiving Notification of Documentation Updates
    2. 12.2 サポート・リソース
    3. 12.3 Trademarks
    4. 12.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 12.5 Glossary
  13. 13Mechanical, Packaging, and Orderable Information

1 特長

  • 下記内容で AEC-Q100 認定済み
    • デバイス温度グレード 1：
      –40℃～+125℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
  • 3V～65V の入力範囲
  • 最低 –65V までの逆入力保護
  • 動作時の低い静止電流：35µA (最大値)
  • 低いシャットダウン電流 (EN = LOW)：3.3µA
  • アノードからカソードへ 13mV の順方向電圧降下レギュレーションを行う理想ダイオード動作
  • 外部のバック・ツー・バック N チャネル MOSFET を駆動
  • 30mA の昇圧レギュレータを内蔵
  • 最大 200 kHz のアクティブ整流
  • 逆電流阻止の高速応答：0.5μs
  • 高速な順方向 GATE ターンオン遅延：0.72μs
  • 調整可能な過電圧保護機能
  • 適切な TVS ダイオードにより車載用 ISO7637 過渡要件に適合
  • 省スペースの 12 ピン WSON パッケージで供給