JAJSKM0B May   2020  – May 2022 DRV8932

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成および機能
    1.     ピン機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  7. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 ブリッジの制御
      2. 7.3.2 電流レギュレーション
      3. 7.3.3 減衰モード
        1. 7.3.3.1 ブランキング時間
      4. 7.3.4 チャージ･ポンプ
      5. 7.3.5 リニア電圧レギュレータ
      6. 7.3.6 論理およびクワッドレベル・ピン構造図
        1. 7.3.6.1 nFAULT ピン
      7. 7.3.7 保護回路
        1. 7.3.7.1 VM 低電圧誤動作防止 (UVLO)
        2. 7.3.7.2 VCP 低電圧誤動作防止 (CPUV)
        3. 7.3.7.3 過電流保護 (OCP)
        4. 7.3.7.4 サーマル・シャットダウン (OTSD)
        5. 7.3.7.5 フォルト条件のまとめ
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 スリープ・モード (nSLEEP = 0)
      2. 7.4.2 動作モード (nSLEEP = 1)
      3. 7.4.3 nSLEEP リセット・パルス
      4. 7.4.4 機能モードのまとめ
  8. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 電流レギュレーション
        2. 8.2.2.2 消費電力および熱に関する計算
        3. 8.2.2.3 アプリケーション曲線
  9. 9 電源に関する推奨事項
    1. 9.1 バルク・コンデンサ
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトの注意点
      1. 10.1.1 レイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 コミュニティ・リソース
    4. 11.4 商標
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

6.5 電気的特性

標準値は TA = 25℃、VVM = 24V での値です。特に記述のない限り、すべての限界値は推奨動作条件の全範囲を満たすものとします。
パラメータテスト条件最小標準最大単位
電源 (VM、DVDD)
IVMVM 動作電源電流nSLEEP = 1、負荷なし56.5mA
IVMQVM スリープ・モード電源電流nSLEEP = 024μA
tSLEEPスリープ時間nSLEEP = 0 でスリープモード120μs
tRESETnSLEEP リセット・パルスnSLEEP = Low でフォルトをクリア2040μs
tWAKEウェークアップ時間nSLEEP = 1 で出力遷移0.81.2ms
tONターンオン時間VM > UVLO で出力遷移0.81.2ms
VDVDD内部レギュレータ電圧外部負荷なし、6V < VVM < 33V4.555.5V
VVM = 4.5 V 4.2 4.35 V
チャージ・ポンプ (VCP、CPH、CPL)
VVCPVCP 動作電圧6V < VVM < 33VVVM +5V
f(VCP)チャージ・ポンプ・スイッチング周波数VVM > UVLO、nSLEEP = 1360kHz
ロジック・レベル入力 (IN1、IN2、IN3、IN4、nSLEEP)
VIL入力論理 Low 電圧00.6V
VIH入力論理 High 電圧1.55.5V
VHYS入力論理ヒステリシス150mV
IIL入力論理 Low 電流VIN = 0V–11μA
IIH入力論理 High 電流VIN = 5V100μA
クワッドレベル入力 (TOFF)
VI1入力論理 Low 電圧GND に接続00.6V
VI2330kΩ ± 5% を GND との間に接続11.251.4V
VI3入力ハイ・インピーダンス電圧ハイ・インピーダンス (GND との間の抵抗値が 500kΩ よりも大きい)1.822.2V
VI4入力論理 High 電圧DVDD に接続2.75.5V
IO出力プルアップ電流10μA
制御出力 (nFAULT)
VOL出力論理 Low 電圧IO = 5mA0.5V
IOH出力論理 High リーク電流–11μA
モータ・ドライバ出力 (OUT1、OUT2、OUT3、OUT4)
RDS(ONH)ハイサイド FET オン抵抗TJ = 25℃、IO = -1A450550mΩ
TJ = 125℃、IO = -1A700850mΩ
TJ = 150℃、IO = -1A780950mΩ
RDS(ONL)ローサイド FET オン抵抗TJ = 25℃、IO = 1A450550mΩ
TJ = 125℃、IO = 1A700850mΩ
TJ = 150℃、IO = 1A780950mΩ
電流レギュレーション (VREF)
KVトランスインピーダンス・ゲインVREF = 3.3V2.092.22.31V/A
IVREF VREF リーク電流 VREF = 3.3V 8.25 μA
tOFFPWM オフ時間TOFF = 07μs
TOFF = 116
TOFF = ハイ・インピーダンス24
TOFF = 330kΩ を GND との間に接続32
ΔITRIP 電流トリップ精度 IO = 1.5A、10%～20% 電流設定 -15 15 %
IO = 1.5A、20%～67% 電流設定 -10 10
IO = 1.5A、68%～100% 電流設定 -5 5
保護回路
VUVLOVM 低電圧誤動作防止 (UVLO)VM 立ち下がり、UVLO 立ち下がり4.14.254.35V
VM 立ち上がり、UVLO 立ち上がり4.24.354.45
VUVLO,HYS低電圧ヒステリシス立ち上がりから立ち下がりへのスレッショルド100mV
VCPUVチャージ・ポンプ低電圧VCP 立ち下がりVVM + 2V
IOCP過電流保護FET を流れる電流2.5A
tOCP過電流グリッチ除去時間1.8μs
TOTSDサーマル・シャットダウンダイ温度 TJ150165180°C
THYS_OTSD過熱保護閾値ヒステリシスダイ温度 TJ20°C