JAJSLH6A February   2022  – May 2022 LM74502-Q1 , LM74502H-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 Revision History
  5. 5 Device Comparison Table
  6. 6 Pin Configuration and Functions
  7. 7 Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Switching Characteristics
    7. 7.7 Typical Characteristics
  8. 8 Parameter Measurement Information
  9. 9 Detailed Description
    1. 9.1 Overview
    2. 9.2 Functional Block Diagram
    3. 9.3 Feature Description
      1. 9.3.1 Input Voltage (VS)
      2. 9.3.2 Charge Pump (VCAP)
      3. 9.3.3 Gate Driver (GATE an SRC)
        1. 9.3.3.1 Inrush Current Control
      4. 9.3.4 Enable and Undervoltage Lockout (EN/UVLO)
      5. 9.3.5 Overvoltage Protection (OV)
    4. 9.4 Device Functional Modes
      1. 9.4.1 Shutdown Mode
      2. 9.4.2 Conduction Mode
  10. 10Application and Implementation
    1. 10.1 Application Information
    2. 10.2 Typical Application
      1. 10.2.1 Design Requirements
      2. 10.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 10.2.2.1 Design Considerations
        2. 10.2.2.2 MOSFET Selection
        3. 10.2.2.3 Overvoltage Protection
        4. 10.2.2.4 Charge Pump VCAP, Input and Output Capacitance
      3. 10.2.3 Selection of TVS Diodes for 12-V Battery Protection Applications
      4. 10.2.4 Selection of TVS Diodes and MOSFET for 24-V Battery Protection Applications
      5. 10.2.5 Application Curves
    3. 10.3 Surge Stopper Using LM74502-Q1, LM74502H-Q1
      1. 10.3.1 VS Capacitance, Resistor R1 and Zener Clamp (DZ)
      2. 10.3.2 Overvoltage Protection
      3. 10.3.3 MOSFET Selection
    4. 10.4 Fast Turn-On and Turn-Off High Side Switch Driver Using LM74502H-Q1
  11. 11Power Supply Recommendations
  12. 12Layout
    1. 12.1 Layout Guidelines
    2. 12.2 Layout Example
  13. 13Device and Documentation Support
    1. 13.1 Receiving Notification of Documentation Updates
    2. 13.2 サポート・リソース
    3. 13.3 Trademarks
    4. 13.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 13.5 Glossary
  14. 14Mechanical, Packaging, and Orderable Information

1 特長

  • 下記内容で AEC-Q100 認定済み
    • デバイス温度グレード 1：
      –40℃～+125℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 2
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
  • 3.2V～65V の入力範囲 (スタートアップ時 3.9V)
  • 入力逆電圧定格：–65V
  • 駆動用チャージ・ポンプを内蔵
    • 外部のバック・ツー・バック N チャネル MOSFET

    • 外部のハイサイド・スイッチ MOSFET

    • 外部の逆極性保護 MOSFET

  • ゲート駆動バリアント

    • LM74502-Q1：ピーク・ゲート駆動ソース容量：60μA

    • LM74502H-Q1：ピーク・ゲート駆動ソース容量：11mA

  • ピーク・ゲート・シンク電流容量：2A

  • シャットダウン時電流 (EN/UVLO = Low)：1µA

  • 動作時静止電流 (標準値、EN/UVLO = High)：45µA

  • 可変出力過電圧および低電圧保護

  • TVS ダイオードを追加することで車載用 ISO7637 パルス 1 過渡要件に適合
  • 8 ピンの SOT-23 パッケージ (2.90mm × 1.60mm) で供給