JAJSUF8C April   2024  – October 2024 ISOM8110-Q1 , ISOM8111-Q1 , ISOM8112-Q1 , ISOM8113-Q1 , ISOM8115-Q1 , ISOM8116-Q1 , ISOM8117-Q1 , ISOM8118-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 デバイスの比較
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1  絶対最大定格
    2. 6.2  ESD 定格
    3. 6.3  推奨動作条件
    4. 6.4  熱に関する情報
    5. 6.5  絶縁仕様
    6. 6.6  安全関連認証
    7. 6.7  安全限界値
    8. 6.8  電気的特性
    9. 6.9  スイッチング特性
    10. 6.10 代表的特性
  8. 7 パラメータ測定情報
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
      1. 9.1.1 代表的なアプリケーション
        1. 9.1.1.1 設計要件
        2. 9.1.1.2 詳細な設計手順
          1. 9.1.1.2.1 RPULLUP のサイズ設定
          2. 9.1.1.2.2 RIN のサイズ設定
        3. 9.1.1.3 アプリケーション曲線
    2. 9.2 電源に関する推奨事項
    3. 9.3 レイアウト
      1. 9.3.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.3.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントのサポート
      1. 10.1.1 関連資料
    2. 10.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 10.3 サポート・リソース
    4. 10.4 商標
    5. 10.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 10.6 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

6.4 熱に関する情報

熱評価基準(1)  ISOM811x-Q1 単位
DFG (SOIC) DFH (SOIC)
4 ピン 4 ピン
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 283.9 288.8 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 173.1 173.6 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 201.4 192.9 ℃/W
ψJT 接合部から上面への特性パラメータ 125.1 121.5 ℃/W
ψJB 接合部から基板への特性パラメータ 198.0 190.0 ℃/W
(1) 従来および新しい熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション ノートを参照してください。