JAJSV09
July 2024
LMG2100R026
ADVANCE INFORMATION
1
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
4
Pin Configuration and Functions
5
Specifications
5.1
Absolute Maximum Ratings
5.2
ESD Ratings
5.3
Recommended Operating Conditions
5.4
Thermal Information
5.5
Electrical Characteristics
6
Parameter Measurement Information
6.1
Propagation Delay and Mismatch Measurement
7
Detailed Description
7.1
Overview
7.2
Functional Block Diagram
7.3
Feature Description
7.3.1
Control Inputs
7.3.2
Start-Up and UVLO
7.3.3
Bootstrap Supply Voltage Clamping
7.3.4
Level Shift
7.4
Device Functional Modes
8
Application and Implementation
8.1
Application Information
8.2
Typical Application
8.2.1
Design Requirements
8.2.2
Detailed Design Procedure
8.2.2.1
VCC Bypass Capacitor
8.2.2.2
Bootstrap Capacitor
8.2.2.3
Slew Rate Control
8.2.2.4
Power Dissipation
8.3
Power Supply Recommendations
8.4
Layout
8.4.1
Layout Guidelines
8.4.2
Layout Examples
9
Device and Documentation Support
9.1
Documentation Support
9.1.1
Related Documentation
9.2
Receiving Notification of Documentation Updates
9.3
サポート・リソース
9.4
Trademarks
9.5
静電気放電に関する注意事項
9.6
用語集
10
Revision History
11
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
11.1
Package Information
11.2
Mechanical Data
1
特長
統合されたハーフブリッジ GaN FET およびドライバ
電圧定格:連続 93V、パルス 100V
簡単に PCB をレイアウトするよう最適化されたパッケージ
低リンギングで、高スルーレートのスイッチング
5V の外部バイアス電源
3.3V および 5V の入力ロジック レベルをサポート
ゲート ドライバは最高 10MHz のスイッチングが可能
非常に優れた伝搬遅延 (標準値 33ns) およびマッチング (標準値 2ns)
内部的なブートストラップ電源電圧クランピングにより、GaN FET オーバードライブを防止
電源レールの低電圧誤動作防止保護
低消費電力
上面冷却用の露出上面 QFN パッケージ
底面冷却用の大型 GND パッド