2 拓撲結構概覽

此拓撲結構使用兩個相位，相位差 180°，並具有一個單一 DC 阻隔電容器 C_b，利用兩相位架構提供的漣波電流消除，並降低 C_b 中的均方根 (RMS) 電流應力。L_b1 和 L_b2 的尺寸適合處理 TCM 運作所需的高頻 AC 漣波電流，消除 TCM 所用電感器需要的 DC 偏壓負擔，如 [5] 中所定義。在存在零電壓切換 (ZVS) 所需的高通量擺幅時，使用 L_b1 和 L_b2 的鐵氧體磁芯有助於確保低損耗。L_g1 和 L_g2 的值大於 L_b1 和 L_b2 (約大 10 倍)，這可防止大部分高頻率電流流入輸入來源，進而改善 EMI。此外，L_g1 和 L_g2 中的漣波電流減少，即可使用低成本的核心材料。圖 1 同時說明電感器和開關節點的漣波電流包絡。