JAJSC49E February 2005 – August 2016 LM5105
PRODUCTION DATA.
このLM5105は高電圧ゲート・ドライバで、ハイサイドとローサイド両方のNチャネルMOSFETを同期整流降圧型またはハーフブリッジ構成で駆動するよう設計されています。フローティングのハイサイド・ドライバは、100Vまでのレール電圧で動作できます。単一の制御入力によりTTL信号レベルと互換で、単一の外付け抵抗により、厳密にマッチングされたターンオン遅延回路を使用して、スイッチング遷移デッドタイムをプログラムできます。ハイサイドのゲート駆動ブートストラップ・コンデンサを充電するため、高電圧ダイオードが搭載されています。堅牢なレベル・シフト技術により、消費電力を抑えながら高速で動作し、クリーンな出力遷移を実現します。低電圧誤動作防止機能により、ローサイドまたはブートストラップ付きのハイサイド電源電圧が動作スレッショルドを下回ると、ゲート・ドライバがディセーブルされます。LM5105は、熱特性が強化されたWSONプラスチック・パッケージで供給されます。
型番 | パッケージ | 本体サイズ(公称) |
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LM5105 | WSON (10) | 4.00mm×4.00mm |