DATA SHEET
UCC5871-Q1 30A 絶縁型 IGBT/SiC MOSFET ゲート・ドライバ、車載アプリケーション用先進保護機能付き
このリソースの元の言語は英語です。 翻訳は概要を便宜的に提供するもので、自動化ツール (機械翻訳) を使用していることがあり、TI では翻訳の正確性および妥当性につきましては一切保証いたしません。 実際の設計などの前には、ti.com で必ず最新の英語版をご参照くださいますようお願いいたします。
1 特長
- 分割出力ドライバは、30A のピーク・ソース (供給) 電流と 30A のピーク・シンク (吸い込み) 電流を実現
- 150ns (最大値) の伝搬遅延時間とプログラマブルな最小パルス除去を備えたインターロックおよび貫通電流保護機能
- 1 次側と 2 次側のアクティブ短絡 (ASC) をサポート
- 設定可能なパワー・トランジスタ保護機能
- DESAT に基づく短絡保護機能
- シャント抵抗を使った過電流および短絡保護機能
- NTC による過熱保護
- パワー・トランジスタ障害時のプログラマブル・ソフト・ターンオフ (STO) と 2 レベル・ターンオフ (2LTOFF)
- 機能安全準拠
- 診断機能内蔵:
- 保護コンパレータのための内蔵セルフ・テスト (BIST)
- IN+ からトランジスタのゲートへの経路の整合性
- パワー・トランジスタのスレッショルドの監視
- 内部クロックの監視
- フォルト・アラーム (nFLT1) および警告 (nFLT2) 出力
- 内蔵の 4A アクティブ・ミラー・クランプまたは外付けのミラー・クランプ・トランジスタ用外部駆動 (任意)
- 先進の高電圧クランプ制御
- 内部および外部電源の低電圧および過電圧保護
- 低電源またはフローティング入力時の、アクティブ出力プルダウンおよびデフォルト Low 出力
- ドライバ・ダイ温度センシングおよび過熱保護機能
- VCM = 1000V で 100kV/µs 以上のコモン・モード過渡耐性 (CMTI)
- SPI ベースのデバイス再構成、検証、監視、診断機能
- 内蔵 10 ビット ADC によるパワー・トランジスタ温度、電圧、電流の監視