TPS1H100-Q1 40V、100mΩ、シングルチャネル、スマート・ハイサイド・パワー・スイッチ

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1 特長

車載アプリケーション用に認定済み
下記内容でAEC-Q100認定済み:
- デバイス温度グレード 1：動作時周囲温度範囲 –40°C～125°C
- デバイス HBM ESD 分類レベル H3A
- デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
機能安全対応
- 機能安全システムの設計に役立つ資料を利用可能
包括的な診断機能を備えたシングルチャネルのスマート・ハイサイド・パワー・スイッチ
- バージョン A：オープン・ドレインのステータス出力
- バージョン B：電流センス・アナログ出力
広い動作電圧範囲：3.5 ～ 40V
非常に低いスタンバイ電流：0.5µA 未満
動作時接合部温度範囲：–40～150°C
入力制御、3.3V および 5V ロジック互換
高精度電流センス：±30mA (1A 時)、±4mA (5mA 時)
外付け抵抗によるプログラマブル電流制限：±20% (0.5A 時)
診断イネーブル機能によって MCU のアナログ / デジタル・インターフェイスの多重化が可能
AECQ100-12 グレード A に従ってテスト済み、
100 万回の GND 短絡テスト
過渡電圧耐性に対する ISO7637-2 および ISO16750-2 の認定
保護
- 過負荷および短絡保護
- 誘導性負荷の負電圧クランプ
- 低電圧誤動作防止 (UVLO) 保護
- 自己回復可能なサーマル・シャットダウン / スイング
- GND 喪失、電源喪失保護
- 外部回路によるバッテリ逆極性保護
診断機能
- オンおよびオフ状態での出力開放およびバッテリ短絡の検出
- 過負荷およびグランド短絡検出、電流制限
- サーマル・シャットダウン / スイング検出
熱特性強化型 14 ピン PWP パッケージ

2 アプリケーション

サブモジュール用ハイサイド・パワー・スイッチ
低電力ランプ用パワー・スイッチ
ハイサイド・リレーおよびソレノイド
PLC デジタル出力パワー・スイッチ
一般的な抵抗性、誘導性、容量性負荷

3 概要

TPS1H100-Q1デバイスは各種の保護機能を搭載したハイサイド・パワー・スイッチで、NMOSパワーFETとチャージ・ポンプを内蔵して、抵抗性、誘導性、容量性の各種負荷をインテリジェントに制御することを目標にしています。高精度の電流センスとプログラマブル電流制限機能により、市場での差別化に役立ちます。

製品情報⁽¹⁾

型番	パッケージ	本体サイズ（公称）
TPS1H100-Q1	HTSSOP (14)	4.40mm×5.00mm

提供されているすべてのパッケージについては、データシートの末尾にある注文情報を参照してください。

Device Images

代表的なアプリケーションの回路図

4 改訂履歴

Changes from C Revision (June 2018) to D Revision

「特長」セクションに機能安全対応のリンクを追加Go

Changes from B Revision (June 2015) to C Revision

Changed the Pin Functions table to alphabetical order and created separate columns for the Version A and Version B devicesGo
Added tablenotes to the Electrical Characteristics tableGo
「ドキュメントの更新通知を受け取る方法」セクションを追加Go

Changes from A Revision (January 2015) to B Revision

Updated Figure 6 and Figure 7Go
Updated Figure 38Go
Updated Figure 39Go
Updated Figure 40Go
「コミュニティ・リソース」を追加Go

Changes from * Revision (October 2014) to A Revision

デバイス・ステータスをプレビューから量産データに更新Go