2 Systemherausforderung bei isolierten Gate-Treibern mit integriertem DESAT

Verstärkte isolierte intelligente Gate-Treiber mit integrierter DESAT-Funktion werden typischerweise in einem 16-poligen SOIC-Gehäuse angeboten, das physisch viel größer ist als ein kompakter Gate-Treiber ohne DESAT-Funktion in einem gestreckten SO-6-Gehäuse, wie in Abbildung 2-1. Ziehen Sie in Erwägung, sechs solcher Bausteine eines 3-Phasen-Inverters auf einer Leistungswechselrichter-Leiterplatte zu platzieren. Die Gehäuselänge addiert sich entsprechend. Ein Design mit einem kompakten Baustein mit kürzerer Länge kann einen Vorteil bei der Leiterplattengröße bieten. Selbst für einen Regenerationsbremsen-Leistungsschalter kann ein kleinerer Gate-Treiber dazu beitragen, den Anwendungslayoutbereich erheblich zu reduzieren. Allerdings verzichten solche Gate-Treiber auf die Überstromschutzfunktion, um die Anwendungsschaltung zu vereinfachen und Kosten zu senken.

Abbildung 2-1 Vergleich der Gehäusegrößen: SO-6 im Vergleich zu SOIC-16

Eine Alternative besteht darin, den kompakten Gate-Treiber mit geringerem Platzbedarf ohne DESAT zu verwenden und die DESAT-Funktion diskret mit einem isolierten Komparator zu implementieren.

Für Schaltungskonfigurationen, die nur die DESAT-Funktion auf entweder den drei Low-Side-Schaltern oder den drei High-Side-Schaltern benötigen, ermöglicht dieses diskrete DESAT-Design, dass alle sechs Schalter denselben 6-poligen verstärkten isolierten Gate-Treiber verwenden können. Dadurch wird die Mischung einfacher Gate-Treiber mit intelligenten Gate-Treibern in einem Anwendungssystem vermieden. Die externe DESAT-Funktion kann den Low-Side- bzw. High-Side-Gate-Treibern hinzugefügt werden. Diese diskrete DESAT-Implementierung verleiht dem Anwendungsdesign mehr Flexibilität zur Konfiguration der Parameter DESAT-Spannung, DESAT-Bias-Strom, DESAT-Erkennungs-Ausblendzeit und DESAT-Ausgangs-Deglitch-Filter. Dies trägt zur Erhöhung der Immunität gegen PWM-Schaltrauschen bei.