GERA015 October   2023 AMC23C11 , UCC23513

 

  1.   1
  2.   Kurzfassung
  3.   Marken
  4. 1Einführung
  5. 2Systemherausforderung bei isolierten Gate-Treibern mit integriertem DESAT
  6. 3Systemansatz mit UCC23513 und AMC23C11
    1. 3.1 Systemübersicht und Schlüsselspezifikation
    2. 3.2 Schaltplandesign
      1. 3.2.1 Schaltplan
      2. 3.2.2 Konfigurieren des VCE(DESAT)-Schwellenwerts und des DESAT-Bias-Strom
      3. 3.2.3 DESAT-Ausblendzeit
      4. 3.2.4 DESAT Deglitch-Filter
    3. 3.3 Referenz-Platinenlayout
  7. 4Simulations- und Testergebnisse
    1. 4.1 Simulationsschaltung und Ergebnisse
      1. 4.1.1 Simulationsschaltung
      2. 4.1.2 Simulationsergebnisse
    2. 4.2 Testergebnisse mit 3-Phasen-IGBT-Inverter
      1. 4.2.1 IGBT-Bremsprüfung
      2. 4.2.2 Testergebnisse mit einem 3-Phasen-Inverter mit Phase-zu-Phase-Kurzschluss
  8. 5Zusammenfassung
  9. 6Quellennachweise
  10. 7Revisionsverlauf

Konfigurieren des VCE(DESAT)-Schwellenwerts und des DESAT-Bias-Strom

Mit den Widerständen R9 bis R14 können der VCE(DESAT)-Schwellenwert und der DESAT-BIAS-Strom iBIAS(DESAT) angepasst werden. Die folgenden Gleichungen sind für eine schnelle Schätzung ihrer Werte für verschiedene DESAT-Schwellenwerte und DESAT-Bias-Stromkonfigurationen vereinfacht.

Der isolierte Komparator AMC23C11 verfügt über eine Referenzspannung VREF, die durch eine interne 100 μA-Stromquelle und den externen Widerstand R9 eingestellt wird. Der Wert von R9 wird gemäß Gleichung 1 berechnet, um die VREF in diesem Design auf 1,5 V einzustellen. Hier werden 1,5 V gewählt, damit der AMC23C11 im Hochhysteresemodus betrieben werden kann[1].

Gleichung 1. R9=VREF100 μA=15 kΩ 

R10 und R11 bestimmen den DESAT-Bias-Strom und werden gemäß Gleichung 2 berechnet:

Gleichung 2. R10=R11=2×VDD-VCEDESAT-VFWD1-R12×iBIAS(DESAT)iBIAS(DESAT)+iR13R14(DESAT)

Hier:

  • VDD ist die Versorgungsspannung des UCC23513, in diesem Fall 15 V für IGBT-Ansteuerung;

  • VCE(DESAT) ist der gewünschte DESAT-Schwellenwert; 8 V ist bei diesem Design standardmäßig eingestellt;

  • VFW(D1) ist die Durchlassspannung der Hochspannungsdiode D1; es wird eine Spannung von 0,5 V angenommen;

  • R12 wird als gängige Praxis auf 100 Ω festgelegt[9];

  • iR13R14(DESAT) ist der Strom durch R13 und R14. Auf 0,5 mA einstellen. Eine niedrigere Einstellung kann die Störfestigkeit verringern.

  • iBIAS(DESAT) ist der DESAT-Bias-Strom, wenn VCE(DESAT) des IGBTs VCE erreicht. In diesem Design auf 5,5 mA einstellen.

Daher konnten R10 und R11 für dieses Design bei 2 kΩ berechnet werden.

Die Nennleistung von R10 und R11 muss für den normalen IGBT-Betrieb gewählt werden, bei dem die VCE(DESAT) deutlich geringer ist. Bei einer Annahme von R12 << R10 betragen die vereinfachten maximalen Leistungsverluste per Gleichung 3:

Gleichung 3. PR10,  MAX=PR11,  MAX=(VDD - VFWD1 - R12 × iBIAS(DESAT) - VCE(SAT))2R10×PWMDUTY,  MAX

Mit den Standardeinstellungen in Tabelle 3-1 und einem typischen VCE(SAT) von 1,5 V beträgt die maximale Verlustleistung von PR10(MAX) und PR11(MAX) etwa 69,8 mW sogar bei 1000 % PWM-Tastverhältnis.

R13 und R14 werden per Gleichung 4 und Gleichung 5 berechnet:

Gleichung 4. R13=VREFiR13R14(DESAT)
Gleichung 5. R14=VDD-(iBIASDESAT+iR13R14DESAT)×R10÷2iR13R14(DESAT)-R13

Durch die Anwendung der Parameterwerte erhalten wir R13 von 3 kΩ und R14 von 15 kΩ.