Abbildung 3-1 zeigt die Plattform für die Low-Side-Brems-IGBT-Gate-Antriebstests. Als Systemcontroller wurde ein C2000™ LaunchPad™ von LAUNCHXL-F28379D verwendet, um eine Serie von PWM-Impulsen von 10 kHz mit 10 % Tastverhältnis oder 10 μs Einschaltdauer in jeder 100 μs Periode zu erzeugen, um einen Low-Side-IGBT anzusteuern. Das LaunchPad erzeugt außerdem einen hohen Ausgang für den LATCH-Eingang des AMC23C11 und überwacht das nDESAT-Signal mit einem GPIO.

Für den Test in einer OCP- oder SCP-Situation wird ein diskreter 600 V 10 A-IGBT verwendet und zwei 1,5 Ω 3 W-Widerstände werden parallel geschaltet, um einen Bremswiderstand zu emulieren. Die Widerstände werden zwischen dem IGBT-Kollektor und der 350 V-DC+-Schiene eingesetzt. Das Testergebnis wird angezeigt in Abbildung 4-4.

In dieser Prüfung begann der Kollektorstrom nach dem Einschalten des IGBT (t = 0 s) zu steigen und wurde bald bei etwa 90 A (t = 480 ns) gesättigt. Nach dem getesteten IGBT-Datenblatt steigt die Spannung V_CE auf den für den Schaltkreis eingestellten Triggerpegel von 8 V, wenn der Kollektorstrom 70 A erreicht. DESAT wurde nach einer Ausblendzeit von etwa 780 ns durch den isolierten Komparator AMC23C11 erkannt. Danach verschob sich der AMC23C11 nach einer typischen internen Verzögerung von 240 ns auf Low (t = 1,04 μs) und verriegelte (wenn der LATCH auf High eingestellt ist). Nach einer weiteren Verzögerung durch den Deglitch-Filter für nDESAT von ca. 340 ns verschob sich der Ausgang des NAND-Gates SN74LVC1G00 auf hoch und trennte den Eingangsstrom des USS23513, sodass der Gate-Treiber die VGATE nach unten zog (t = 1,44 μs). Die DESAT-Reaktionszeit, von wo der Strom des IGBTs 70 A erreichte bis zu dem Punkt, an dem der Strom abzusinken begann, nachdem das GATE zu LOW wechselte, betrug nur etwa 1,16 μs.