그림 3-1에서는 저압측 브레이크 IGBT 게이트 구동 테스트를 위한 플랫폼을 보여줍니다. LAUNCHXL-F28379D의 C2000™ 론치패드™는 저압측 IGBT를 구동하기 위해 10% 듀티 사이클에서 10kHz 또는 각 100μs 기간에 10μs의 타임으로 일련의 PWM 펄스를 생성하는 시스템 컨트롤러로 사용되었습니다. 또한 이 론치패드는 AMC23C11의 래치 입력에 대한 높은 출력을 생성하고 GPIO를 사용하여 nDESAT 신호를 모니터링합니다.

OCP 또는 SCP 상황을 테스트하기 위해 600V 10A 개별 IGBT를 사용하고 1.5Ω 3W 저항 2개를 병렬로 사용하여 브레이크 저항을 에뮬레이션합니다. 저항은 IGBT 컬렉터와 350V DC+ 레일 사이에 삽입됩니다. 검사 결과는 그림 4-4에 표시됩니다.

이 테스트에서 IGBT가 켜지면(t = 0 s), 컬렉터 전류가 상승하기 시작했고 곧 약 90A(t = 480ns)에서 포화되었습니다. 테스트를 거친 IGBT의 데이터 시트에 따르면 컬렉터 전류가 70A에 도달하면 V_CE가 회로에 대해 설정된 8V 트리거 레벨로 증가합니다. DESAT는 약 780ns의 블랭킹 시간이 지난 후 절연 비교기 AMC23C11에서 감지되었습니다. 그런 다음 일반적으로 240ns의 내부 지연 후 AMC23C11의 출력값이 낮음(t = 1.04μs)으로 전환되고 래치됩니다(래치가 하이로 설정된 경우). 약 340ns의 nDESAT에 대한 디글리치 필터의 지연 후 NAND 게이트 SN74LVC1G00의 출력이 하이로 전환되고 USS23513의 입력 전류가 차단되어 게이트 드라이버가 VGATE를 풀다운(t=1.44μs)했습니다. DESAT 반응 시간은 IGBT에서 전류가 70A에 도달하여 게이트가 낮음으로 전환된 후 전류가 떨어지기 시작한 시점까지 약 1.16μs에 불과했습니다.