그림 3-2에서는 IGBT를 구동하기 위한 15V 단극 전원을 지원하는 설계 회로도를 보여줍니다. 몇 가지 사소한 변경으로 이 설계는 전원 MOSFET 구동 또는 양극 전원 공급 장치를 위한 12V 전원 공급 장치 설계에 적합할 수 있습니다. 자세한 내용은 레퍼런스 설계 TIDA-00448을 참조하십시오.

저항 R9~R14 및 고전압 다이오드 D1은 턴온 기간 동안 IGBT의 실제 V_CE를 감지하고 절연 비교기 AMC23C11의 레퍼런스 전압 VREF에 따라 확장하는 데 사용됩니다. R10과 R11은 전력 손실을 분산하기 위해 병렬로 사용됩니다.

R14와 병렬로 연결된 커패시터 C14는 IGBT가 켜지는 동안 잘못된 트리거를 피하기 위해 블랭킹 시간을 설정합니다. IGBT 스위칭으로 인해 가능한 고전압 스파이크를 억제하기 위한 옵션으로 5.1V 제너 다이오드 D2가 추가됩니다. D2의 내부 커패시턴스는 C14와 병렬로 연결되고 블랭킹 시간에 기여합니다. 이 테스트에서는 D2를 조립하지 않았습니다. 낮은 내부 커패시턴스가 있는 고속 스위칭 다이오드 D1은 잘못된 DESAT 트리거를 방지하고 필요한 블랭킹 시간을 최소화하는 것이 좋습니다.

저전압 측은 3.3V 전원을 사용하여 C2000^TM 및 Sitara MCU와 같이 널리 사용되는 MCU의 I/O 레벨을 직접 인터페이싱합니다. R6 및 C11은 래치가 활성화되지 않은 경우 비교기 출력에 대해 디글리치 지연(기본 0.2μs)을 설정합니다.