용융 퓨즈의 반도체 퓨즈로의 교체

일반 용융 퓨즈는 전류량이 많아지면 녹아서 전류의 흐름을 방해합니다. 그림 4에 보이는 TCC 곡선은 이러한 용융 현상의 특징을 보여줍니다.

접촉 저항, 공기 온도 및 과도 전류 등 많은 요인들이 퓨즈 특성에 영향을 미칩니다. 이러한 요인들 때문에 시스템 설계자들은 공칭 작동 전류, 작동 온도 범위, 돌입 전류 및 과도 전류 형상을 감안해 퓨즈의 공칭 용융점 정격 I²t (암페어 제곱초)를 낮춥니다. 예를 들어, 퓨즈의 공칭 전류 정격을 25% 낮추면 성가시게 퓨즈가 끊어지는 것을 방지할 수도 있습니다.

퓨즈 기반 경감 전류의 선택은 하네스의 전류가 퓨즈의 온도 조건에 따라 달라진다는 것을 의미합니다. 하네스 설계자는 특정 온도 조건에서 퓨즈가 감당할 수 있는 더 높은 전류를 통과시키려면 최적에 못 미치는 하네스 게이지를 선택해야 할 수 있습니다.

하네스 전선을 조금 더 최적화하는 한 가지 방법은 I²t 특성을 가진 반도체 고압측 IC(집적 회로)를 사용하는 것입니다. 일반적인 고압측 스위치에는 과전류 보호 기능이 포함되어 있습니다. 득, 전류가 특정 임계값을 초과하면 고압측 스위치가 전류를 차단하거나 자체적으로 개방되어 다운스트림 전선 하네스와 부하를 보호하게 됩니다. 고압측 스위치에 I²t 요소를 추가함으로써, 스위치가 통과 전류(또는 더 구체적으로 말해 전류 제곱)에 따라 다양한 횟수로 개방되게 할 수 있습니다. I²t 기반 반도체 고압측 스위치를 사용하면 퓨즈 특성상의 변동성이 줄어들어 전선 하네스 게이지를 더 최적화할 수 있고, 이는 하네스의 무게를 추가적으로 줄이는 데 도움이 됩니다.