NESA011B march 2023 – june 2023 MSPM0G1105 , MSPM0G1106 , MSPM0G1107 , MSPM0G1505 , MSPM0G1506 , MSPM0G1507 , MSPM0G3105 , MSPM0G3106 , MSPM0G3107 , MSPM0G3505 , MSPM0G3506 , MSPM0G3507
使用 GPIO 做為 I/O 時,必須考量設計以確保正確運作。隨著負載電容變大,I/O 針腳的上升/下降時間也會增加。此電容包含針腳寄生電容 (CI = 5pF (典型)) 及電路板追蹤記錄的影響。I/O 特性可在裝置的產品規格表中找到。表 8-1 列出了 MSPM0G 裝置的 I/O 輸出頻率特性。
參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單元 | ||
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fmax | 埠輸出頻率 | SDIO | VDD ≥ 1.71 V、CL = 20 pF | 16 | MHz | ||
VDD ≥ 2.7 V、CL = 20 pF | 32 | ||||||
HSIO | VDD ≥ 1.71 V、DRV = 0、CL = 20 pF | 16 | |||||
VDD ≥ 1.71 V、DRV = 1、CL = 20 pF | 24 | ||||||
VDD ≥ 2.7 V、DRV = 0、CL = 20 pF | 32 | ||||||
VDD ≥ 2.7 V、DRV = 1、CL = 20 pF | 40 | ||||||
ODIO | VDD ≥ 1.71 V、FM+、CL = 20 pF 至 100 pF | 1 | |||||
tr,tf | 輸出上升或下降時間 | 除 ODIO 之外的所有輸出埠 | VDD ≥ 1.71 V | 0.3*fmax | s | ||
tf | 輸出下降時間 | ODIO | VDD ≥ 1.71 V、FM+、CL = 20 pF 至 100 pF | 20*VDD/5.5 | 120 | ns |