2 輸出電壓的電壓轉換速率控制

在此方法中，將電容器 (C) 置於閘 - GND 之間，閘的電壓轉換速率和輸出電壓會限制突波電流。具有輸出電壓電壓轉換速率控制的電路配置如 圖 3 所示。

方程式 1 和 方程式 2 可計算啟動時的突波電流和功率消耗，如下所示：

由於 MOSFET 在飽和區域中運作，因此突波電流應低至足以在啟動期間，將功耗維持在安全操作區 (SOA) 內。當 MOSFET 的功率消耗降低，且分散在較長時間內時，MOSFET 就可處理更多能量 (1/2 C_OUTV_IN²)。因此，突波間隔需要延展為較長的時間，以支援更高的電容負載。

此方法適用於需要緩慢充電的情況 (例如 5mF 和 50ms)，但是設計必須一律包括在 C_OUT、FET SOA、充電時間和操作溫度之間的取捨。舉例來說，使用 TI 的高壓側切換控制器 TPS1211-Q1 做為閘極驅動器，將 5mF 充電至 12V 時需要 40ms，且突波電流限制為 1.5A。參考資料 [1] 使用此方法以重複在啟動期間檢查 FET SOA 的程序，而參考資料 [2] 則是可估計特定 MOSFET 之 SOA 裕度的線上工具。