NESU004 February 2023 MSPM0L1227 , MSPM0L1228 , MSPM0L1228-Q1 , MSPM0L2227 , MSPM0L2228 , MSPM0L2228-Q1
SRAM 記憶體配置說明開機載入程式運作所使用的記憶體。
主機允許讀取和寫入存取的 SRAM 記憶體爲 BSL 緩衝區起始位址到 [SRAM 結束位址 - 0x120],其中 SRAM 結束位址由每個裝置中可用的 SRAM 記憶體決定。由於相同的 SRAM 空間與可變緩衝區空間共用,因此在 SRAM 寫入/讀取運作期間可能會遭到覆寫。
A - SRAM 起始位址 (0x20000000)
B- 當沒有登錄 Flash 外掛程式介面時,從「取得裝置資訊」命令回應中得知「BSL 緩衝器開始位址」
C- 從「取得裝置資訊」命令回應中得知「BSL 緩衝器開始位址」。當沒有登錄 Flash 外掛程式介面時,此介面將與「B」相同
D- BSL 緩衝區結束位址 =「BSL緩衝區起始位址」+ (2 *「BSL 最大緩衝區大小」),其中 BSL 緩衝區起始位址和 BSL 最大緩衝區大小可從「取得裝置資訊」命令回應得知
E- 堆疊分配的起始位址 (E - 0x120)。當「BSL 最大緩衝區大小」小於 0xFFFF 時,此值將與「D」相同
F- 裝置中可用 SRAM 記憶體的結束位址。請參閱裝置專屬產品規格表以了解詳情。
B-C 部分:
在 BSL 配置中登錄時,將分配給 Flash 外掛程式運作的資料部分
C-D 部分:
用於儲存資料封包的緩衝區空間
最大尺寸為 (2 * 0xFFFF)
C-E 部分: