Srijan Ashok
現今的電源供應設計需要高效率及高功率密度。因此,設計人員在各種電源轉換拓撲結構中使用氮化鎵 (GaN) 裝置。
GaN 可實現高頻率切換,縮減被動元件尺寸,進而增加密度。相較於矽和碳化矽 (SiC) 等技術,GaN 也可降低切換、閘極驅動和反向復原損耗,進而提升電源設計效率。
您可使用 650V GaN FET 進行 AC/DC 轉 DC/DC 轉換,或使用 100V 或 200V GaN FET 進行 DC/DC 轉換,以執行電源供應。
若您從事尖端產品,選擇體積符合業界標準的裝置也十分重要,如此才能為採購團隊簡化供應鏈。因此,在 650V 領域,變壓器外形無引腳 (TOLL) 封裝在高功率供應器設計中越來越普及。
除了選擇業界標準裝置外,TI 的 LMG3650R035 GaN 場效應電晶體 (FET) 等整合式裝置,對於建立具高密度且能在各種電源拓撲結構中可靠運作的設計,能發揮重要作用。此裝置配備整合式閘極驅動器,以及過電流保護、過熱保護和短路保護等保護電路功能。整合保護電路有助於減少執行這些功能的外部元件。此裝置也可在高電壓空間支援多種電源拓撲結構,其中包括圖騰柱功率因數校正 (PFC)、電感器電容器、相移全橋轉換器和雙主動橋式轉換器。
整合閘極驅動器可幫助您建立簡易、高密度且清晰的配置,並可大幅減少寄生耦合,如 圖 1 所示。在高切換頻率電源轉換中,整合尤為重要,因為閘極迴路的電路寄生耦合會導致閘極雜訊及重疊損耗增加。透過使用整合式功率級,寄生耦合可忽略不計並簡化配置。
讓我們回顧一下 TI TOLL 裝置的幾項主要應用領域,其中您可運用整合式保護功能、整合式零電壓偵測(可減少第三象限損耗),以及可忽略的寄生耦合所造成的重疊切換損耗。
隨著數據中心和超大規模運算需求增加,建立高效率、功率密集電源供應單元 (PSU) 的需求將呈指數成長。即使電信領域從 4G 發展到 5G(現在是 6G),設備的電源需求也持續增加,但體積大小保持不變。
這種情況使得整合式 650V TOLL 裝置成為有力應用實例,其主要是透過 PFC 和 DC/DC 級將 AC 電源轉換為 DC 匯流排,如 圖 2 所示。我們採用 TOLL 封裝的 GaN 裝置,在我先前提到的拓撲結構中,可在 PFC 級實現超過 99% 的效率,並在 DC/DC 級達到超過 98% 的效率。
以太陽能作為電源的趨勢越來越普遍。如 圖 3 所示,雙向 DC/DC 以及 PFC 和逆變器級都可使用整合式 GaN TOLL 裝置將太陽能面板電壓轉換為 AC 電源。由於清潔能源需求快速增加,因此必須使用業界標準裝置,運用小體積提供高效率與高功率。
TOLL GaN 裝置可透過業界標準體積與整合式功能來增加價值。由於多數感測和最佳化功能皆整合在功率級中,因此這些裝置可幫助您利用不同汲極至源極導通電阻,擴展到不同功率位準並使用不同拓撲結構,而無需為配置煩惱。
大螢幕(40 吋以上)電視市場有相當大的成長潛力,同時出於美學考量,更輕更薄的螢幕也成為發展趨勢。由於螢幕越大,電源需求也隨之增加,但尺寸卻更薄,因此必須讓電視更具電源效率。AC/DC 轉換可在 PFC 和 DC/DC 級使用 TOLL 裝置。
整合式 TOLL GaN 裝置可讓您維持被動元件大小不變,並透過簡易佈線將外部電路維持在最小,以提供更薄的印刷電路板。此外,此設計將更有效率,同時保持業界標準體積。
隨著全球努力減少尾管排放,車輛電氣化一直是新聞焦點。若要輕鬆使用隨插即用充電,就必須具備電動車車載充電器 (OBC)。由於 OBC 位於電動車底盤,因此其應具高功率密度與高效率,以佔用最小空間並減少損耗,因為沒有主動冷卻可分散損耗。
圖 4 所示為典型的 OBC 原理圖。整合式 TOLL GaN 裝置可透過整合與更高切換頻率將設計尺寸最佳化,並減少損耗(閘極驅動與切換損耗)以提升散熱效率,進而為 PFC 和 DC/DC 級提供協助。透過 TOLL GaN 裝置,也可在裝置層級啟用所有保護,有助於提升 OBC 設計的穩健性,同時保持業界標準體積。
未來電源設計人員將面臨的最大設計挑戰之一,是運用高密度設計,以盡可能低的損耗提供不斷增加的功率位準。整合式 TOLL GaN 裝置結合了整合式 GaN 與業界標準體積,可消除額外電路和複雜 PCB 配置的麻煩,進而提供協助。這有助於降低設計的複雜度。此外,這也將強化其他終端設備領域的設計,例如馬達驅動、工業電源供應器和家電電源,這些領域同樣重視簡易、高密度設計。
隨著 GaN FET 技術的飛躍發展,我們未來將持續投資並改善 TOLL 裝置的品質因數,協助設計人員努力在相同領域提供更高功率。
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