Gallium nitride (GaN) motor drivers
Maximice la eficiencia de potencia y minimice el tamaño de la solución con módulos de potencia inteligentes (IPM) de nitruro de galio (GaN) y controladores para motores de medio puente
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IPM de GaN 650 V
Maximice la densidad de potencia y la eficiencia mediante nuestro dispositivo GaN IPM de alta tensión
<Controladores de medio puente GaN de 200 V
Mejore la eficiencia y minimice el tamaño de la solución mediante nuestro dispositivo de medio puente GaN de media tensión
Categorías relacionadas
Beneficios de nuestros controladores para motores GaN
Aumente la eficiencia del sistema
Nuestros controladores para motores GaN integran FET de GaN de baja resistencia, lo que proporciona hasta 2 % de una mayor eficiencia de potencia y reduce las pérdidas de potencia mediante 50 % o más en comparación con las tecnologías basadas en silicio.
Prolongue la vida útil del accionamiento del motor
El control de velocidad de subida integrado y la protección multinivel reducen el calentamiento del motor, maximizan la eficiencia de potencia y mejoran el aislamiento durante la vida útil del motor. Proporcionar un rendimiento y una durabilidad máximos.
Permita un funcionamiento silencioso y suave del motor
Obtenga un funcionamiento más silencioso y un par más suave con GaN de TI a través de frecuencias de conmutación más altas, bajo retardo de propagación y armónicos de corriente minimizados con bajo tiempo muerto.
Minimice el tamaño de la solución al 50 %
Reduzca el tamaño de su sistema con GaN, ya que puede ofrecer una densidad de potencia ultraalta y reducir los componentes externos del sistema para diseños más compactos y eficientes en comparación con el silicio.
Tecnologías destacadas
Introducción a los IPM de GaN
Los módulos de alimentación inteligentes (IPM) desarrollados con nitruro de galio (GaN) permiten una mayor densidad de potencia y eficiencia que los transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de silicio y los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) tradicionales.
Beneficios:
- >Una eficiencia del 99 % en la etapa de potencia elimina la necesidad de componentes de refrigeración, como los disipadores de calor, lo que mejora la eficiencia general y reduce el tamaño del sistema del controlador para motores.
- <El tiempo muerto de 150 ns y el retardo de propagación, junto con frecuencias de conmutación de modulación por ancho de pulsos más altas, reducen la distorsión de la corriente para mejorar el rendimiento acústico.
How Three-Phase Integrated GaN Technology Maximizes Motor-Drive Performance
IPM de GaN eficientes
Introducción a los medios puentes de GaN
Las etapas de potencia de medio puente de nitruro de galio (GaN) ofrecen una densidad de potencia superior y un tamaño más compacto en comparación con los MOSFET de silicio tradicionales.
Beneficios:
- Logre una reducción de más del 50 % del tamaño de la placa de circuito impreso (PCB) con etapas de potencia de medio puente de GaN.
- Reduzca las pérdidas de potencia hasta en un 50 % a altas frecuencias de conmutación (100 kHz).
- Permite el uso de condensadores cerámicos, mejorando la fiabilidad y el rendimiento.