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Módulos de alimentación inteligentes (IPM) de nitruro de galio (GaN)
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DRV7308

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Módulo de alimentación inteligente (IPM) de nitruro de galio (GaN) trifásico integrado de 650 V y 20

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Detalles del producto

Rating Catalog Architecture Integrated FET Control interface 6xPWM Peak output current (A) 5 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 250 VDS (max) (V) 650 Features Integrated FETs Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Architecture Integrated FET Control interface 6xPWM Peak output current (A) 5 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 250 VDS (max) (V) 650 Features Integrated FETs Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REN) 68 144 mm² 12 x 12
  • Three-phase PWM motor driver with integrated 650V enhancement mode GaNFETs
  • Up to 450V operating voltage
    • 650V absolute maximum voltage
  • High output current capability: 5A Peak current
  • Low conduction loss: Low on-state resistance per GaN FET: 205mΩ RDS(ON) at TA = 25°C
  • Low switching loss: Zero reverse recovery, low output capacitance, slew rate control
  • Low distortion: Ultra low propagation delay < 135ns, Ultra low adaptive dead time < 200ns
  • Integrated gate drives with slew rate control of phase node voltage
    • Slew rate options from 5V/ns to 40V/ns
  • 500ns minimum low side on time support with integrated fast bootstrap GaN rectifier
  • Low-side GaN FET open source pins to support 1- or 2- or 3-shunt current sensing
  • Supports up to 60kHz hard switching
  • Integrates a 11MHz, 15V/µs amplifier for single shunt current sensing
  • Supports 3.3V and 5V logic inputs
  • Integrated BRAKE functionality to turn on all low side GaN FETs together
  • Integrated temperature sensor
  • >1.6mm clearance between OUTx and OUTx, VM and OUTx and OUTx and PGND.
  • 2mm clearance between VM and PGND
  • Integrated protection features
    • GVDD and bootstrap under voltage lockout
    • Over current protection for each GaN FET
    • Over temperature protection
    • PWM input dead time
    • Current limit protection using integrated comparators for all three phases
    • Fault condition indication pin (HV_nFAULT)
  • Three-phase PWM motor driver with integrated 650V enhancement mode GaNFETs
  • Up to 450V operating voltage
    • 650V absolute maximum voltage
  • High output current capability: 5A Peak current
  • Low conduction loss: Low on-state resistance per GaN FET: 205mΩ RDS(ON) at TA = 25°C
  • Low switching loss: Zero reverse recovery, low output capacitance, slew rate control
  • Low distortion: Ultra low propagation delay < 135ns, Ultra low adaptive dead time < 200ns
  • Integrated gate drives with slew rate control of phase node voltage
    • Slew rate options from 5V/ns to 40V/ns
  • 500ns minimum low side on time support with integrated fast bootstrap GaN rectifier
  • Low-side GaN FET open source pins to support 1- or 2- or 3-shunt current sensing
  • Supports up to 60kHz hard switching
  • Integrates a 11MHz, 15V/µs amplifier for single shunt current sensing
  • Supports 3.3V and 5V logic inputs
  • Integrated BRAKE functionality to turn on all low side GaN FETs together
  • Integrated temperature sensor
  • >1.6mm clearance between OUTx and OUTx, VM and OUTx and OUTx and PGND.
  • 2mm clearance between VM and PGND
  • Integrated protection features
    • GVDD and bootstrap under voltage lockout
    • Over current protection for each GaN FET
    • Over temperature protection
    • PWM input dead time
    • Current limit protection using integrated comparators for all three phases
    • Fault condition indication pin (HV_nFAULT)

The DRV7308 is a three-phase intelligent power module (IPM) that consists of 205mΩ, 650V e-mode Gallium-Nitride (GaN) for driving three-phase BLDC/PMSM motors up to 450V DC rails. The applications include field-oriented control (FOC), sinusoidal current control, and trapezoidal (six step) current control of BLDC motors. The device helps to achieve more than 99% efficiency for a 3-phase modulated, FOC-driven, 250W motor drive application in a QFN 12mm x 12mm package at 20kHz switching frequency, eliminating the need for heat sink. The device helps to achieve ultra quiet operation, with very low dead time. The integrated bootstrap rectifier with bootstrap current limit, eliminates the need for an external bootstrap diode.

The DRV7308 is a three-phase intelligent power module (IPM) that consists of 205mΩ, 650V e-mode Gallium-Nitride (GaN) for driving three-phase BLDC/PMSM motors up to 450V DC rails. The applications include field-oriented control (FOC), sinusoidal current control, and trapezoidal (six step) current control of BLDC motors. The device helps to achieve more than 99% efficiency for a 3-phase modulated, FOC-driven, 250W motor drive application in a QFN 12mm x 12mm package at 20kHz switching frequency, eliminating the need for heat sink. The device helps to achieve ultra quiet operation, with very low dead time. The integrated bootstrap rectifier with bootstrap current limit, eliminates the need for an external bootstrap diode.
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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
* Data sheet DRV7308 Three Phase 650V, 5A, GaN Intelligent Power Module datasheet PDF | HTML 29 may 2024
Technical article Achieving household energy efficiency and cost savings with GaN-based motor system designs PDF | HTML 07 jun 2024
White paper How Three-Phase Integrated GaN Technology Maximizes Motor-Drive Performance PDF | HTML 06 jun 2024
EVM User's guide DRV7308 Evaluation Module User's Guide 21 may 2024

Diseño y desarrollo

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Placa de evaluación

DRV7308EVM — Módulo de evaluación DRV7308

El DRV7308EVM es un módulo diseñado para la evaluación exhaustiva del controlador de motor DRV7308. El dispositivo es un controlador de compuerta triple de medio puente de transistor de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) integrado de 250 W y 450 V para aplicaciones de controlador de (...)

Guía del usuario: PDF
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Diseños de referencia

TIDA-010273 — Diseño de referencia de inversor de motor de 250 W

Este diseño de referencia es un accionamiento de motor de 250 W para grandes electrodomésticos o aplicaciones similares, que ilustra un inversor de motor de alta eficiencia basado en un módulo de alimentación inteligente (IPM) DRV7308 de nitruro de galio (GaN) sin disipador de calor y también (...)
Design guide: PDF
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
VQFN (REN) 68 Ultra Librarian
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Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Soporte y capacitación

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