Power stages

Mayor eficiencia del sistema y simplificación de los diseños

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Minimice el tamaño de la solución, maximice la densidad de potencia, optimice la eficiencia y refuerce la protección del sistema con nuestros avanzados dispositivos de etapas de potencia. Integre nuestras etapas de potencia inteligentes, con telemetría de alta precisión, con nuestros controladores multifásicos escalables para obtener una solución de sistema de CC/CC multifásico simplificada. Esta integración elimina los componentes redundantes, reduce las pérdidas por conmutación y aumenta la fiabilidad general del sistema, todo ello en un tamaño compacto. Además. nuestra familia de transistores de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) con controladores de compuerta integrados y dispositivos de potencia de GaN ofrece la solución de GaN más eficiente con una alta fiabilidad de por vida y ventajas económicas. 

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LMG3650R035
Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)

650V 35mΩ, TOLL packaged GaN FET with integrated driver, protection and zero-voltage detection

Precio aprox. (USD) 1ku | 10.668

LMG2640
Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)

Medio puente de nitruro de galio (GaN) de 650 V y 105 mΩ con controlador, protección y detección de

Precio aprox. (USD) 1ku | 6.3

LMG3100R044
Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)

FET de GaN de 100 V y 4.4 mΩ con controlador integrado

Precio aprox. (USD) 1ku | 2.15

LMG2100R026
Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)

Etapa de potencia de nitruro de galio (GaN) de medio puente de 100 V y 2.6 mΩ

Precio aprox. (USD) 1ku | 4.75

LMG3427R030
Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)

Transistor de efecto de campo (FET) de nitruro de galio (GaN) de 600 V y 30 mΩ con controlador, prot

Precio aprox. (USD) 1ku | 8.97

LMG3624
Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)

Transistor de efecto de campo (FET) de GaN de 650 V y 170 mΩ con controlador, protección y detección

Precio aprox. (USD) 1ku | 2.65

Nuestras etapas de potencia de transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de GaN y Si aumentan la eficiencia del sistema & simplifican los diseños

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Diseñado para la fiabilidad

Nuestros dispositivos de GaN están diseñados para mantener la seguridad de los sistemas de alta tensión gracias a un proceso GaN-on-Si patentado, más de 40 millones de horas de pruebas de fiabilidad y diversas funciones de protección.

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Gran integración

Los MOSFET, controladores y sensores de corriente integrados proporcionan una función de conmutación completa que elimina los componentes pasivos, lo que reduce el tamaño de la solución y simplifica el diseño de la placa de circuito impreso.

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Menor magnetismo, mayor densidad de potencia

Nuestros dispositivos GaN permiten velocidades de conmutación más rápidas, que pueden ayudarle a alcanzar frecuencias de conmutación de más de 500 kHz. Esto se traduce en una reducción del magnetismo de hasta el 60%, un mayor rendimiento y una reducción de los costos del sistema.

Recursos técnicos

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Thermal Performance of QFN12x12 Package for 600V, GaN Power Stage (Rev. A)
La gestión térmica es fundamental para el éxito del diseño de la fuente de alimentación. Nuestro encapsulado cuádruple, plano y sin plomo (QFN) de 12 mm x 12 mm está diseñado para ofrecer un gran rendimiento en todas las aplicaciones. Mas información sobre el encapsulado y lea consejos sobre cómo optimizar su diseño térmico.
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Power loss calculation with CSI consideration for synchronous buck converters (Rev. A)
El convertidor reductor síncrono es una topología de uso muy frecuente en aplicaciones de baja tensión y alta corriente. Los convertidores reductores síncronos de baja pérdida de potencia y alta eficiencia tienen una gran demanda para los microprocesadores avanzados del futuro. 
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Direct-drive configuration for GaN devices (Rev. A)
Nuestra familia de dispositivos GaN dMode permite un funcionamiento normalmente apagado sin ser código de cascada. Mas información sobre el accionamiento directo y sus ventajas.
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