Etapas de potencia
Mayor eficiencia del sistema y simplificación de los diseños
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Nuevos productos
FET de GaN en encapsulado TOLL de 650 V y 35 mΩ con controlador y protección integrados
Precio aprox. (USD) 1ku | 10.668
Etapa de potencia de 60 A. con entrada de 4 V a 20 V automotriz
Precio aprox. (USD) 1ku | 3.1
Transistor de efecto de campo (FET) de GaN en encapsulado TOLL de 650 V y 25 mΩ con conductor int
Precio aprox. (USD) 1ku | 8.476
FET de GaN de 650 V y 70 mΩ en encapsulado TOLL con conductor y protección integrados
Precio aprox. (USD) 1ku | 6.544
Medio puente de GaN de 650 V y 95 mΩ con controlador, protección y detección de corriente integrados
Precio aprox. (USD) 1ku | 6.9
Medio puente de GaN de 650 V y 230 mΩ con controlador, protección y detección de corriente integrado
Precio aprox. (USD) 1ku | 4.39
Nuestras etapas de potencia de transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de GaN y Si aumentan la eficiencia del sistema y simplifican los diseños
Diseñado para la confiabilidad
Nuestros dispositivos de GaN están diseñados para mantener la seguridad de los sistemas de alta tensión gracias a un proceso GaN-on-Si patentado, más de 40 millones de horas de pruebas de fiabilidad y diversas funciones de protección.
Gran integración
Los MOSFET, controladores y sensores de corriente integrados proporcionan una función de conmutación completa que elimina los componentes pasivos, lo que reduce el tamaño de la solución y simplifica el diseño de la placa de circuito impreso.
Menor magnetismo, mayor densidad de potencia
Nuestros dispositivos GaN permiten velocidades de conmutación más rápidas, que pueden ayudarlo a alcanzar frecuencias de conmutación de más de 500 kHz. Esto se traduce en una reducción del magnetismo de hasta el 60 %, un mayor rendimiento y una reducción de los costos del sistema.