アナログ半導体

TI は数十年にわたり、お客様の設計に最適なパワー デバイスを提供するための新しいプロセス、パッケージ、回路設計テクノロジーの開発をリードしてきました。電力密度の向上、バッテリ動作時間の延長、電磁干渉 (EMI) の低減、パワー インテグリティとシグナル インテグリティの維持、高電圧環境での安全性の維持など、パワー マネージメントに関するこれらの主な課題を解決できるように、TI はお客様に対応できる体制を維持しています。

詳細：

電流、電圧、環境、位置、近接性に関する TI の各センシング テクノロジーを活用すると、身の回りの世界をより高精度にセンスできます。ディスクリートまたは統合型のソリューションを選択し、高精度、短い応答時間、妥協のない信頼性を実現することができます。

TI の絶縁技術は、従来の絶縁手法に比べて、高電圧設計での堅牢性と信頼性の向上、システム コストの削減、スケーラビリティの向上を実現します。TI の技術ページにアクセスし、絶縁技術に対する TI 独自のアプローチの詳細を参照すると、絶縁に関する課題を解決するために TI が四半世紀近くにわたって採用してきた方法を確認できます。

モーター設計を変革できます。TI のモーター制御テクノロジーは、設計の多様な選択肢とトポロジにまたがってモーター システムをサポートできるように、フレキシビリティと利便性の高い複数のオプションを取り揃えています。

TI の GaN パワー デバイス製品ラインアップの採用で、電力密度と効率が最大化複数のゲート ドライバを内蔵した GaN (窒化ガリウム) FET と各種 GaN パワー デバイスで構成された TI のファミリは、寿命、信頼性、およびコストに関する利点を実現する非常に効率的な GaN ソリューションに役立ちます。GaN トランジスタのスイッチング速度は、シリコン MOSFET より明らかに高速なので、スイッチング損失を低減できる可能性が高くなります。TI の GaN IC は、通信、機器、サーバー、モーター ドライブ、ノート PC のアダプタ、電気自動車 (EV) 向けのオンボード チャージャなど、幅広いアプリケーションで使用できます。

接続のシンプルさ、スケーラビリティ、セキュリティが向上。実績のあるテスト済みのインターフェイス デバイスで構成された TI の製品ラインアップを採用すると、幅広い基準に対応し、産業用、車載、エンタープライズの各分野で、最高水準の規制に準拠する規格に適合できます。